BATCHSPRAY Acid RDL 种子层／阻挡层湿法刻蚀
siconnex customized solutions GmbH · 封装工艺与工程验证
- 方案用途
- 用于比较 RDL 电镀后种子层与阻挡层的湿法刻蚀，权衡线间导电金属残留与过刻蚀引起的侧蚀。
- 技术方式
- 晶圆批次旋转并接受化学液喷淋，通过槽式循环控制温度与浓度；金属刻蚀可采用光学反射终点检测。
- 适用范围
- 适用方向为电镀后 RDL 金属去除；金属叠层、介电材料兼容性及线宽／线距需用指定化学液和试片确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界均匀性与终点检测不能单独证明线间绝缘，也不能保证没有侧蚀。原厂家族文章的性能数字不能直接视为本机对全部材料和版图的规格。
评估准备BLNKK 建议准备金属叠层与厚度、线宽／线距、介电材料和现行刻蚀记录。已有残留图像、尺寸损失或初始短路位置可用于安排同位置对照。
向供应商确认确认各金属的刻蚀液与选择性、终点信号如何对应清除状态，以及循环液管理和过刻蚀控制。用实片核对线间残留、尺寸损失及电性能。
- 公开依据
- Acid Autoload 产品页说明设备与终点检测；Siconnex 技术文章另述 RDL 种子层／阻挡层去除及残留、侧蚀问题，未提供你的版图验证结果。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。