Nippon Kayaku NK disperse UT 显影液
Nippon Kayaku Co., Ltd. · 材料参数与界面设计
- 方案用途
- 在 RDL 初始短路研究中比较电镀前光刻胶开口与残胶，判断桥接是否已由光刻图形引入。
- 技术方式
- 采用半导体显影配方形成曝光后开口；具体反应需按光刻胶、UT 牌号及显影条件确认。
- 适用范围
- 可作为光刻显影候选材料；需一起评估实际 RDL 光刻胶、金属叠层、线宽／线距和漂洗流程。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界Al／Cu 适用标记不等于整个叠层无腐蚀，也不保证开口没有残胶。显影液不能修复已形成的金属桥接；其他清洗配方条件不可直接套用。
评估准备BLNKK 建议准备光刻胶牌号与厚度、曝光条件、金属叠层和目标线距。记录现行显影浓度、时间、温度及漂洗流程，保留电镀前后同位置图像。
向供应商确认确认 UT 牌号与胶／金属兼容性、显影窗口和漂洗方式。再约定开口残胶、线形、腐蚀以及后续电镀／电性对照验证。
- 公开依据
- Nippon Kayaku 半导体化学表列出 UT 显影液、精细图形和 Al／Cu 适用标记，未给出你的 RDL 叠层验证结果。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。