ELITE 锁相热成像封装内电性故障三维定位
Thermo Fisher Scientific · 可靠性验证与失效分析
- 方案用途
- 封装、芯片或电路板内的短路、漏电等异常可能先表现为局部发热，需要定位后再决定是否开封或切片分析。
- 技术方式
- 采用红外锁相热成像观察受电激励试样的热信号，定位异常发热；可按配置结合激光扫描和标记，辅助后续导航。
- 适用范围
- 面向能够产生可测热信号的电性故障，覆盖封装、模块、芯片及板级试样；机型、激励方式和试样适应性需确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界故障需要可被电激励并产生可识别热信号；定位热点不等于确认根因。分辨率取决于试样及配置，VX 电压能力和 SIL／S-LSM 选配不能套用所有机型。
评估准备BLNKK 建议整理试样结构与尺寸、故障电性、可用激励和安全限值、已有图像及关注区域，以及后续破坏性分析限制。
向供应商确认请确认机型／选配、激励和热信号适应性、定位及深度估算条件、实际试样精度，以及后续设备的坐标与数据衔接。
- 公开依据
- 厂商产品页和 2018 年数据表介绍无损电性故障定位；2022 年功率 MOSFET 案例展示 ELITE 热点定位后，再开展 PFIB 及探针／实体分析。
补充参考资料
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相关工程问题
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资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。