Helios 5 PFIB-SEM 先进封装大面积截面与失效分析
埋藏互连和材料界面的异常需要精准截面才能进一步确认；分析位置与制样方法会影响可获得的证据。
Thermo Fisher Scientific
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- Helios 5 PFIB-SEM 先进封装大面积截面与失效分析 · 可靠性验证与失效分析
- ELITE 锁相热成像封装内电性故障三维定位 · 可靠性验证与失效分析
应用范围: 2.5D／3D／混合键合／微凸点／TSV · 2.5D／3D IC／TSV／堆叠芯片／电路板 · 接头 IMC／金属化薄片 · 可访问的 TSV 周边硅 · 临时接合／脱载残留
目录中的方案 · 5
ELITE 锁相热成像封装内电性故障三维定位
封装、芯片或电路板内的短路、漏电等异常可能先表现为局部发热，需要定位后再决定是否开封或切片分析。
Talos F200X G2 接头薄片成像与元素分析
检查已定位焊点的金属间化合物（IMC）层和元素分布，辅助判断局部失效。
DXR3 TSV 周边硅 Raman 光谱比较
比较可通过光学方式检测的 TSV 周边硅区光谱，辅助评估局部应变。
Nicolet iN10 MX 脱载残留红外分析
解键合后清洗评估需要先识别残留的化学成分与分布，区分原始胶材和表面污染。
工程问题中的候选方案
以下候选方案已收录于工程问题流程，可继续查看条件、来源和比较内容。
公开来源
- 产品资料：Helios 5 PFIB-SEM 先进封装大面积截面与失效分析
- 公开资料：TFS-Assets/MSD/Reference-Materials/innovative-failure-analysis-solutions-for-advanced-packaging-wp.pdf
- 技术资料：Helios 5 PFIB CXe DualBeam 数据表 (PDF)
- 公开资料：mt/en/home/electron-microscopy/products/electrical-failure-analysis-systems/elite.html.html
- 技术资料：ELITE System：无损 3D 电性故障定位数据表 (PDF)
- 技术资料：宽禁带功率 MOSFET 的电性到实体失效分析流程 (PDF)
- 产品资料：Talos F200X G2 接头薄片成像与元素分析
- 产品资料：DXR3 TSV 周边硅 Raman 光谱比较
- 产品资料：Nicolet iN10 MX 脱载残留红外分析
联系信息
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