先进封装多技术失效分析与可靠性验证
MA-tek · 可靠性验证与失效分析
- 方案用途
- 封装在回流焊、温度循环或使用后出现分层、裂纹、空洞和电性异常时，需要先定位失效区域，再判断结构或材料变化是否与异常相关。
- 技术方式
- 可根据案件选用 X-ray／XCT 与 SAM／SAT 进行无损定位，再以 FIB 截面、SEM／TEM／STEM 和 EDS 调查局部结构及成分；可靠性试验可配合前后状态比较。
- 适用范围
- 原厂服务涵盖封装结构、内部缺陷、界面及材料差异，以及回流焊或可靠性试验前后分析。特定先进封装的可观察位置和试验方式需要实验室确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界缺陷影像或成分差异不一定能单独确定根因。SAT 的穿透和识别能力需按样品选择，水耦合及破坏性制样是否可接受也需预先确认。
评估准备BLNKK 建议整理异常现象、封装结构与疑似位置、吸湿／回流焊／温度循环记录，以及正常样品对照和已有电性或影像数据，并列出可接受的制样方式。
向供应商确认请确认分析顺序、样品数量与损耗、目标界面的可观察性，以及试验条件、判定依据和原始数据／报告交付范围，同时确认承接实验室。
- 公开依据
- IC 封装服务页列出无损检测、截面及材料分析，以及 TC、HAST、HTS 等试验；SAT 页说明分层、空洞和裂纹的声学检测方法，属于服务范围证据。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。