WaferBOND HT-10.11 超薄晶圆临时键合材料
Brewer Science · 材料参数与界面设计
- 方案用途
- 晶圆减薄、TSV 露出和背面 RDL 工艺需要临时载板支撑，并在加工后安全释放。该材料用于超薄晶圆的临时键合，帮助规划支撑与解键合流程。
- 技术方式
- 将有机涂层施加于器件晶圆或载板，再键合形成支撑堆叠。HT-10.11 公开键合温度为 130–180°C；热滑移、化学、机械和激光解键合各有相应的载板或释放材料条件。 厂商另列出需要无机吸光层的光脉冲解键合路线。
- 适用范围
- 厂商列出低于 75 µm 的薄晶圆、MEMS、3D WLP、TSV 露出和 RDL 应用，涂层厚度为 20–130 µm。产品页列示最高 250°C 的热稳定性，实际热与化学历程仍需确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界化学解键合需穿孔载板或切割后的小芯片提供溶剂通路；机械或激光释放需相容的释放材料。产品耐温不代表所有配套流程均可采用相同条件，也不保证低翘曲或无残胶。 光脉冲释放还需无机吸光层及相容载板。
评估准备BLNKK 建议准备目标晶圆厚度、表面结构、载板材质、涂层厚度和完整热／化学历程。补充预定释放方式及裂纹、残胶、平整度的验收方式，以便规划样品验证。
向供应商确认确认 HT-10.11 的当前供应与建议加工窗口、载板／释放层组合，以及键合、解键合和清洗设备相容性。请供应商针对实际工艺说明热预算、溶剂和残留控制的验证方法。
- 公开依据
- 具名产品页公开涂层厚度、键合温度、热解键合温度和热稳定性；解键合页则列出 HT-10.11 在不同释放路径中的配套条件。这些资料尚非用户堆叠的破片、残胶或翘曲验证。
补充参考资料
联系供应商
查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。
相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。