Phoenix V|tome|x S Neo 双射线管高分辨率工业 CT

Waygate Technologies · 翘曲、形貌与应力测量

方案用途: 芯片接合层、焊点或电子组件内部的空洞及结构异常可能被外部材料遮挡，需要无损影像先定位，再安排截面或材料分析。
技术方式: V|tome|x S Neo 通过 X-ray 投影重建三维 CT，可根据检查任务选择射线管和探测器配置；双管配置可在微焦点及纳米焦点模式之间选择。
适用范围: 可作为电子组件和封装的实验室检查选项，调查芯片接合、隐藏焊点或孔隙。实际可识别范围需要根据材料、几何及样品试扫描确认。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
CT 形貌不能直接测量界面粘接强度，材料吸收和重建伪影也可能影响空洞判读。双管、尺寸测量和扫描范围需要按当前设备配置确认。
评估准备
BLNKK 建议准备接合材料、厚度及周围叠层、疑似位置和空洞尺度，以及可接受的扫描条件；提供已知对照或截面数据，帮助检查影像判读。
向供应商确认
请确认当前 S Neo 型号与选配、样品试扫描的检出能力及影像判据，以及原始投影／重建数据、分析软件和校准文件的供应范围。
公开依据: 原厂公开信息介绍 S Neo 的电子检查用途及可配置的微焦点／纳米焦点 CT 路线；设备能力不能直接等同特定封装的空洞检出保证。

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