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mAgic DA295A 低温无压银烧结芯片粘接

Heraeus Electronics · 材料参数与界面设计

方案用途
高功率器件的芯片接合层需要兼顾导热、导电与可靠性。该方案提供无压银烧结材料,用于比较接合材料和烧结工艺窗口。
技术方式
利用微米银配方点胶、贴装芯片并进行无压烧结,形成银接合层。厂商列示 200°C 以上、空气或 N₂ 气氛的加工条件,实际曲线需按应用调整。
适用范围
厂商列出 RF 功率放大器、MOSFET、二极管和晶闸管等用途,产品资料列示 Ag/Au 接合表面。芯片尺寸、镀层和接合层厚度需按实际堆叠确认。
限制与待确认事项

以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议,并非原厂保证或必备资料清单。

适用边界

公开相容表面为 Ag/Au,其他镀层与芯片尺寸需另行确认。无压不等于无应力;200°C 以上的加工描述也不提供适用于所有试样的干燥、保温或升降温曲线。

评估准备

BLNKK 建议准备芯片尺寸、背面和基板镀层、接合层厚度、点胶/干燥/烧结历程及目标热、电性。提供空洞、剪切或热循环对照结果,以便规划试样验证。

向供应商确认

确认当前材料数据与供应状态、尺寸和表面适用范围,以及空气/N₂ 的建议工艺曲线。另确认保存、开封使用、清洗需求和接点可靠性验证条件。

公开依据
产品页与数据表公开无压工艺、加工温度、表面相容性和烧结后的热/电性数据。这些是供应商资料,不代表用户试样必然无空洞或达到相同接点可靠性。

补充参考资料

联系供应商

查看公司联系信息,通过官方渠道咨询此方案。

相关工程问题

以下链接来自已建立的方案关系,可继续查看工程条件和评估准备。

资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案;方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。