WaferBOND HT-10.11 超薄晶圆临时键合材料
在晶圆减薄、TSV 露出和背面 RDL 工艺中支撑厚度低于 75 µm 的晶圆,降低搬运、涂布、曝光及热工艺造成的碎片或过度变形风险。
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能力与应用
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在晶圆减薄、TSV 露出和背面 RDL 工艺中支撑厚度低于 75 µm 的晶圆,降低搬运、涂布、曝光及热工艺造成的碎片或过度变形风险。
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