CoWoS-R RDL 中介层与 CTE 缓冲结构
大型 HPC 多芯片封装需要高密度芯片间互连，同时缓解 SoC、RDL 中介层、C4 及有机基板之间的 CTE 失配和连接点应变。
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TSMC
台灣積體電路製造股份有限公司
能力与应用
封装结构与变形补偿、材料参数与界面设计、可靠性验证与失效分析
封装结构与变形补偿材料参数与界面设计可靠性验证与失效分析
01
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02
相关问题
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