功率循環中的熱阻上升，如何區分晶粒接合層劣化、互連疲勞與外部熱介面變化？

熱阻上升可能來自封裝內部接合層、外部熱介面材料或夾持條件，也可能是溫度推估與電性量測漂移。只看壽命終點的單一截面，不足以還原劣化順序。

• 先鎖定熱阻與接面溫度的算法和校正。
• 同步追蹤可代表互連狀態的電性指標。
• 用中斷樣品建立時間序列影像與截面。

先排除量測鏈與外部熱路徑

熱阻漂移時先檢查接面溫度推估方法、冷板條件、熱介面材料與夾持力是否一致，再看 VCE(sat) 或其他互連指標是否同向變化。沒有這層基準，容易把治具變化誤判成晶粒接合層劣化。

用中斷樣品建立劣化順序

不要只比較零循環與失效後兩個端點。依熱阻曲線的轉折安排中斷樣品，搭配相同掃描閘門設定的 C-SAM、電性資料與代表性截面，才能判斷分層先發生還是互連先惡化。