問題背景與判讀重點
BLNKK 公開資料整理以厚度圖與傷層證據比較線切片窗口及下游去除餘量
- 保留晶錠、切片順序與材料批次；後段晶粒切割請使用相鄰問題。
- 採用實際加工參數及設備允許範圍；不把宣傳精度當成本批結果。
- 厚度與 TTV 採相同參考及取樣；外觀無裂紋不等於沒有亞表面傷層。
技術問答BLNKK 編輯整理
SiC 晶錠多線切片後厚度差和傷層，如何比較切片窗口？
這是封裝之前的 SiC 基板製備問題。先量測原始切片厚度與傷層，再比較多線切片條件和後續研磨餘量。
SiC 晶錠切片厚度差與損傷
- SiC 晶錠多線切片後厚度差和傷層，如何比較切片窗口？
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