你的方案地圖
SiC 晶錠切片厚度差與損傷
先確認 BLNKK 對問題的理解，再掌握優先路線、候選方案與仍缺的條件。
你的補充只在此瀏覽器中處理此頁顯示公開整理的問題資料你輸入的問題不會出現在網址或伺服器紀錄中
你的方案地圖
先確認問題理解，再決定要深入哪些方案。
3優先路線1候選方案1已整理來源
BLNKK 目前理解
請確認內容- 物件與結構
- 上游 SiC 晶錠與切片後原始晶片
- 發生階段
- 晶錠多線切片及研磨／拋光前檢查
- 可觀察現象
- 原始切片厚度變異、TTV、切片裂紋與亞表面傷層
- 工程決策
- 以厚度圖與傷層證據比較線切片窗口及下游去除餘量
優先評估路線
各路線用途不同，可搭配使用01
原始切片幾何與傷層取證配對厚度／TTV 圖、裂紋與傷層量測，分開幾何變異與加工損傷。
優先02
多線切片與供液窗口對照固定取樣基準，逐項比較線材、張力、進給、搖擺與供液的加工窗口。
優先03
下游研磨／拋光去除餘量把傷層深度與目標厚度配對，確認後續研磨／拋光是否有足夠去除餘量。
優先目前候選方案
尚需確認樣品適用性下一步：確認工程條件用 4 個關鍵條件調整評估順序，再選擇要比較的方案。
進入工程條件 →