問題背景與判讀重點
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- electrode 面積、TSV count／density 與 substrate doping 如何影響總量？
- guard、背景、settling 與 compliance／stress history 是否可比？
- 未擊穿 liner 的深度／密度如何取樣並控制製樣假影？
技術問答BLNKK 編輯整理
TSV 絕緣 liner 漏電定位：下一輪應如何設計對照？
先固定 TSV／bulk 接點、聚合幾何、偏壓與儀測背景，保留未擊穿樣品。
TSV 對基板漏電liner 完整性低電流背景
- electrode 面積、TSV count／density 與 substrate doping 如何影響總量？
- guard、背景、settling 與 compliance／stress history 是否可比？
- 未擊穿 liner 的深度／密度如何取樣並控制製樣假影？
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