JSM-IT810 封裝截面 SEM／EDS 分析
JEOL · 可靠度驗證與失效分析
- 方案用途
- 在已定位的封裝接點截面觀察形貌與元素分布，補充電阻異常的界面比對。
- 技術方式
- 結合場發射 SEM 成像與 EDS 分析；Neo Action 依設定條件對選定區域自動觀察與分析。
- 適用範圍
- 已製備的 IC、接合部或材料截面；實際可觀察特徵取決於製樣品質及偵測器配置。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界截面製備會改變樣品，並非完整封裝的非破壞檢查；EDS 結果不直接代表接點電阻或接合強度。
評估準備BLNKK 建議準備失效位置、接點結構與電阻量測、目標元素、可犧牲樣品及製樣紀錄。
向供應商確認請確認截面定位與製備方式、EDS 偵測及量化條件、所需偵測器，以及自動分析與校準的配置。
- 公開依據
- JEOL 2025 年 5 月 30 日簡報展示經截面研磨製備的 IC 接合部影像與元素分析。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。