SPTS Omega Rapier XE TSV 背面露銅蝕刻

KLA · 製程設備與溫度控制

方案用途: TSV 背面露出高度不均時，分辨薄化與矽蝕刻各段對形貌的貢獻。
技術方式: 以 Rapier XE 背面整面矽蝕刻露出填銅 TSV，配合配方可調均勻性與需確認的終點控制。
適用範圍: TSV 晶圓背面矽移除；須確認載板支撐、剩餘矽與停止層，以及目標露出高度。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
露出矽蝕刻不等於銅蝕刻，也不保證最終接合面共面性；其他 Omega 或沉積模組能力不可混用。
評估準備
BLNKK 建議準備薄化前後及蝕刻前後高度圖、晶圓邊緣資料、TSV 堆疊、剩餘矽與載板條件。
向供應商確認
請確認終點偵測、均勻性調整、停止層及載板相容性，並以實際堆疊試片檢查露出高度與後續平坦化需求。
公開依據: KLA 2022 年 4 月 19 日製程概要第 2 頁將 Rapier XE 列為 via-reveal 矽蝕刻模組。

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