CIRCL-AP 晶圓全表面封裝檢測與 2D/3D 量測
薄化、接合及 RDL/TSV 製程的異常可能分布在晶圓正面、背面與邊緣,需同時追蹤表面缺陷與凸塊、互連的尺寸偏差。
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薄化、接合及 RDL/TSV 製程的異常可能分布在晶圓正面、背面與邊緣,需同時追蹤表面缺陷與凸塊、互連的尺寸偏差。
TSV 背面露出高度不均時,分辨薄化與矽蝕刻各段對形貌的貢獻。
成品 BGA/CSP 的焊球高度與共面度檢查,可提供組裝前接點幾何的篩檢依據。
TSV 銅填孔前,需要對照阻障/種子層的側壁與底部覆蓋。
TSV 襯層評估,需要同時對照膜質、應力及熱預算。
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