空洞是否已定位在矽中 TSV 銅體，且有 reveal／接合前的觀察時點？介面裂紋、reveal 殘留或後續接合空洞要另留鄰題；只憑總電阻不能定位填銅 seam。
TSV 深度、孔形／密度與多位置 seam／空洞分布是否可對照？須有正常孔、晶圓位置及製樣方向；單一截面可能錯過中心 seam 或引入假影。
barrier／seed 沿孔深度的連續性與沉積履歷是否可追溯？表面 sheet resistance 不能代表深孔側壁／底部覆蓋；需要對位形貌與可檢出限制。
入槽前清潔／wetting、等待及氣泡排除是否有同孔形的對照？控制材料、孔形與等待；不從空洞外觀直接宣布 trapped gas 或指定添加劑。
bath／添加劑分析、電位／電流與 flow 歷史是否同孔形可比？需實際分析與設備 trace，不只名義 recipe；沒有跨孔形通用濃度或 current 波形。

值得評估的路徑

需補條件

深度分布與目標取樣

先補前段時點、多孔與正常孔形貌。

空洞是否已定位在矽中 TSV 銅體，且有 reveal／接合前的觀察時點？
TSV 深度、孔形／密度與多位置 seam／空洞分布是否可對照？

哪些條件會改變這條路徑

空洞是否已定位在矽中 TSV 銅體，且有 reveal／接合前的觀察時點？支持先評估: 已定位銅體且有前段時點 · 目前不適合: 只有後段介面／reveal 異常
TSV 深度、孔形／密度與多位置 seam／空洞分布是否可對照？支持先評估: 深度／位置與正常孔可比 · 目前不適合: 只有單截面或未記深度

需補條件

Seed 覆蓋與 wetting 對照

先補深孔覆蓋與入槽前配對資料。

空洞是否已定位在矽中 TSV 銅體，且有 reveal／接合前的觀察時點？
TSV 深度、孔形／密度與多位置 seam／空洞分布是否可對照？
barrier／seed 沿孔深度的連續性與沉積履歷是否可追溯？
入槽前清潔／wetting、等待及氣泡排除是否有同孔形的對照？

哪些條件會改變這條路徑

空洞是否已定位在矽中 TSV 銅體，且有 reveal／接合前的觀察時點？支持先評估: 已定位銅體且有前段時點 · 目前不適合: 只有後段介面／reveal 異常
TSV 深度、孔形／密度與多位置 seam／空洞分布是否可對照？支持先評估: 深度／位置與正常孔可比 · 目前不適合: 只有單截面或未記深度
barrier／seed 沿孔深度的連續性與沉積履歷是否可追溯？支持先評估: 孔深度覆蓋與沉積 trace 可比 · 目前不適合: 只有表面 seed 資料
入槽前清潔／wetting、等待及氣泡排除是否有同孔形的對照？支持先評估: 前處理／wetting 有配對控制 · 目前不適合: 缺前處理或 wetting 對照

接下來先做

尚未提供結果；先補關鍵條件，再安排評估。

空洞是否已定位在矽中 TSV 銅體，且有 reveal／接合前的觀察時點？

準備這些資料

前段正常／異常 TSV；孔深度／密度／晶圓座標；製樣與可破壞範圍
深度 seam／空洞與正常孔；孔內 seed／wetting 控制；同孔形 bath／flow 對照

討論時先問

seam／空洞是否在 reveal 前的 TSV 銅體內？
孔底／側壁 seed 和 wetting 哪些區域有實測？

公開參考來源

ASE · Failure Analysis Lab ↗公開服務清單不保證微細 pad／TSV／殘膜尺度檢出或化學鑑別；取樣與承接另確認。

KLA / SPTS · SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging ↗2022 年原廠設備能力；沒有本孔深度均勻性、liner 壽命或材料相容性的樣品驗證。

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目前案件

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版本保留當時的條件、結果、假設與已選方案；後續修改不會覆寫舊版。

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相關方案

9個候選方案

依用途排列，不代表推薦、性能排名或樣品適用性

已選0 / 3個方案可從下方任一方案加入比較；最多同時比較 3 個方案。

至少選擇 2 個方案

TSV 深度形貌取樣評估公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認

TSV 深度形貌取樣評估

ASE

目標 FIB／截面能力可按代表性孔位與深度安排。

依據：ASE：Failure Analysis Lab

ASE：Failure Analysis Lab ↗

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正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔

目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。

樣品或製程前提

前段正常／異常 TSV
孔深度／密度／晶圓座標
製樣與可破壞範圍

排除條件

單截面無空洞當全孔合格
從導通值直接定位 seam

上述判斷所依據的一手來源ASE：Failure Analysis Lab ↗

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Spherolyte Cu TSV AF 填孔評估公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認

Spherolyte Cu TSV AF 填孔評估

MKS / Atotech

公開 TSV 電解液可列為受控 bath／flow 對照的候選。

依據：MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement；NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias

MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement ↗NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias ↗

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正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔

目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。

樣品或製程前提

實際 TSV 孔形與深度圖
浴液分析和電性／flow trace
同孔形正常／異常對照

排除條件

載板微孔 recipe 搬到 TSV
產品宣稱當樣品無空洞

上述判斷所依據的一手來源MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement ↗NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias ↗

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Seed／wetting 與傳質共同審查編輯研究／承接待確認BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認

Seed／wetting 與傳質共同審查

BLNKK 工程審查需求（服務方待確認）

兩段控制均齊備才比較沿孔深度缺陷對不同變因的反應。

依據：KLA / SPTS：SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging；NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias；MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement

KLA / SPTS：SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging ↗NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias ↗MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement ↗

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正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔

目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。

樣品或製程前提

深度 seam／空洞與正常孔
孔內 seed／wetting 控制
同孔形 bath／flow 對照

排除條件

已知 bath 直接排除 seed
看 seam 就指定添加劑濃度

上述判斷所依據的一手來源KLA / SPTS：SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging ↗NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias ↗MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement ↗

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配套分析與量測公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認

Ultra C SAPS TSV／via 巨音波清潔

ACM Research

TSV 或 via 沉積前有顆粒與殘留時，可比較清潔條件與結構耐受性，準備後續介面評估。

依據：官方正文說明聲能機制、具名清潔用途及不同 SAPS 機型／選配，未提供本樣品的損傷放行結果。

ACM Research：Ultra C SAPS TSV／via 巨音波清潔 ↗

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正式方案資料關係支援檢查方法

ACM ResearchUltra C SAPS TSV／via 巨音波清潔開啟正式方案資料 →

樣品或製程前提

原廠列出 via 蝕刻後、阻障金屬沉積前及高深寬比 TSV 清潔；須核對可進入濕式流程的晶圓與疊構。

排除條件

適用邊界聲能分布控制不保證任何圖形皆無損傷，也不能由顆粒去除直接證明填孔或絕緣合格。不同機型的聲能與清潔選配需分開確認。評估準備 BLNKK 建議整理孔形、殘留、暴露金屬、藥液及既有聲能條件，對照清潔前後殘留、腐蝕、粗糙度和圖形損傷。向供應商確認確認適合本晶圓的機型、聲能／角度與藥液窗口、選配配置及可用樣品試驗，核對清潔和損傷判讀標準。

上述判斷所依據的一手來源ACM Research：Ultra C SAPS TSV／via 巨音波清潔 ↗

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直接候選方案公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認

Endura Ventura TSV barrier／seed 沉積

Applied Materials

比較 TSV 填銅前的阻障層與銅種子層覆蓋，評估深孔金屬化的連續性。

依據：Applied Materials 產品頁說明 TSV 金屬化、可選阻障材料與 Endura 上的種子層整合。

Applied Materials：Endura Ventura TSV barrier／seed 沉積 ↗

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正式方案資料關係同一正式方案

Applied MaterialsEndura Ventura TSV barrier／seed 沉積開啟正式方案資料 →

樣品或製程前提

原廠針對高深寬比 TSV 與 2.5D 中介層；需確認孔形、介電襯層及後續電鍍流程。

排除條件

適用邊界連續種子層有助於後續填銅，但設備宣稱不保證本 TSV 無縫隙、空洞或可靠度缺陷。沉積也不能取代介電襯層與電鍍的個別驗證。評估準備 BLNKK 建議整理孔形、襯層狀態、目標膜厚、熱預算、氧化與等待時間，以及深度截面及接觸電阻資料。向供應商確認確認阻障材料與設備配置、孔壁／孔底覆蓋條件、前處理及電鍍銜接，並討論膜厚連續性和填銅後驗證。

上述判斷所依據的一手來源Applied Materials：Endura Ventura TSV barrier／seed 沉積 ↗

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評估流程的一部分公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認

Syndion TSV 深矽蝕刻

Lam Research

TSV 孔深、側壁形狀與 scallop，會影響後續襯層、種子層及填銅流程的評估。

依據：官方產品頁說明 RAP 製程及 scallop 大小與蝕刻速率的取捨，未公布通用孔深或速率窗口。

Lam Research：Syndion TSV 深矽蝕刻 ↗

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正式方案資料關係工作流程組成

Lam ResearchSyndion TSV 深矽蝕刻開啟正式方案資料 →

樣品或製程前提

原廠列出 HBM 與先進封裝 TSV；實際孔形、遮罩和疊層能力須依 C／F／G 系列配置確認。

排除條件

適用邊界較小 scallop 可能犧牲速率；具體取捨依配方而定。孔形控制不直接證明襯層完整、種子層連續或填銅可靠度。評估準備 BLNKK 建議整理孔徑／深度、遮罩與疊層、晶圓厚度／支撐，以及輪廓、scallop 和均勻性目標。向供應商確認請確認適用配置、選擇比、終點、速率／scallop 平衡及後清潔，並討論成孔量測與後續襯層／填孔試作。

上述判斷所依據的一手來源Lam Research：Syndion TSV 深矽蝕刻 ↗

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配套分析與量測公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認

SPTS Sigma TSV 阻障／種子層 PVD

KLA

TSV 銅填孔前，需要對照阻障／種子層的側壁與底部覆蓋。

依據：當前 Sigma 段與具名型錄均列出 TSV 金屬沉積；型錄明列 2022 年 4 月版本。

KLA：SPTS Sigma TSV 阻障／種子層 PVD ↗

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正式方案資料關係支援檢查方法

KLASPTS Sigma TSV 阻障／種子層 PVD開啟正式方案資料 →

樣品或製程前提

官方列出 TSV barrier／seed 與 UBM／RDL；實際孔形、材料及源／腔體配置需確認。

排除條件

適用邊界家族用途不保證每套配置的深孔覆蓋，也不能保證後續電鍍無接縫／空洞。需以實際孔形與膜層驗證。評估準備 BLNKK 建議整理孔形、阻障／種子層材料、熱預算及前處理，對照側壁／底部截面與後續填孔結果。向供應商確認請確認源／腔體、材料與孔形窗口、除氣／預清洗、覆蓋判定及試片驗證方法。

上述判斷所依據的一手來源KLA：SPTS Sigma TSV 阻障／種子層 PVD ↗

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配套分析與量測商用分析平台BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認

Xradia Versa 非破壞 3D X-ray 封裝顯微分析

ZEISS

非破壞 CT 可先調查 TSV 填銅形貌，再安排切片；細縫能否被辨識需以實際尺寸與材料確認。

依據：2021 年電子應用型錄展示 TSV 空洞、凸塊裂紋與焊接異常；現行產品頁另說明多尺度觀察及重建工具。

ZEISS：Xradia Versa 非破壞 3D X-ray 封裝顯微分析 ↗

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正式方案資料關係支援檢查方法

ZEISSXradia Versa 非破壞 3D X-ray 封裝顯微分析開啟正式方案資料 →

樣品或製程前提

適用於電子封裝的結構檢查、製程開發與失效分析，可銜接 FIB／SEM 等局部分析。
TSV 尺寸與銅、襯層堆疊
代表性細縫的對比及解析試驗
對應切片位置與座標

排除條件

適用邊界缺陷可辨識性需依尺寸、材料與掃描設定驗證，體素尺寸不能等同實際解析度；重建與量測模組也須依配置確認。評估準備 BLNKK 建議準備樣品尺寸、材料堆疊、目標 TSV／缺陷大小及疑似位置，並提供對照樣品與後續切片計畫。向供應商確認請確認代表性樣品的缺陷對比、掃描時間、假影處理與座標交付方式，以及所需重建／量測模組。
低於解析度或對比不足的細縫不適用
CT 不能單獨判定種子層或鍍液原因

上述判斷所依據的一手來源ZEISS：Xradia Versa 非破壞 3D X-ray 封裝顯微分析 ↗

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直接候選方案量產導向商用電鍍平台BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認

SABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台

Lam Research

具名 TSV 電鍍填充平台可比較傳質與電鍍窗口；須先確認種子層連續性及預潤濕。

依據：原廠產品頁列出 TSV、RDL 與凸塊等用途及均勻性目標；2026 年 7 月文章說明高深寬比填孔。這些是供應商能力說明，未提供使用者孔形與材料的無空洞驗證結果。

Lam Research：SABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台 ↗

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正式方案資料關係同一正式方案

Lam ResearchSABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台開啟正式方案資料 →

樣品或製程前提

涵蓋 TSV、RDL、銅柱、UBM 與凸塊等晶圓級封裝用途，實際金屬與配置須按製程選擇。
TSV 深寬、形貌及種子層
鍍液、添加劑、電流與前處理
全晶圓填充圖、切片及條件對照

排除條件

適用邊界原廠無空洞填孔說明不是所有孔形與材料的保證；均勻電鍍也不能排除種子層缺陷或保證低封裝翹曲。評估準備 BLNKK 建議準備 TSV 孔形與種子層資料、前潤濕條件、電鍍配方與電流條件，以及截面和全晶圓填孔分布。向供應商確認請確認對應孔形的填孔窗口、種子層與潤濕要求、缺陷判定方法及電鍍後處理配置。
不相容的幾何或化學配置需先排除
電鍍設備能力不能排除既有種子層缺陷

上述判斷所依據的一手來源Lam Research：SABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台 ↗

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