Syndion TSV 深矽蝕刻
Lam Research · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- TSV 孔深、側壁形狀與 scallop，會影響後續襯層、種子層及填銅流程的評估。
- 技術方式
- Syndion 以深矽電漿蝕刻，快速交替蝕刻與側壁保護步驟，控制孔深、輪廓及晶圓內均勻性。
- 適用範圍
- 原廠列出 HBM 與先進封裝 TSV；實際孔形、遮罩和疊層能力須依 C／F／G 系列配置確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界較小 scallop 可能犧牲速率；具體取捨依配方而定。孔形控制不直接證明襯層完整、種子層連續或填銅可靠度。
評估準備BLNKK 建議整理孔徑／深度、遮罩與疊層、晶圓厚度／支撐，以及輪廓、scallop 和均勻性目標。
向供應商確認請確認適用配置、選擇比、終點、速率／scallop 平衡及後清潔，並討論成孔量測與後續襯層／填孔試作。
- 公開依據
- 官方產品頁說明 RAP 製程及 scallop 大小與蝕刻速率的取捨，未公布通用孔深或速率窗口。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。