SABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台
針對 TSV 填孔與封裝互連電鍍，評估空洞、膜厚均勻性及晶粒內共面性等製程問題。
Lam Research
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- 沉積、蝕刻、清洗與先進封裝製程設備
應用範圍: TSV／RDL／Cu pillar／microbump／HDFO · HBM／interposer TSV 成孔 · 晶圓接合邊緣製程 · TSV 絕緣內襯製程
目錄中的方案 · 4
Syndion TSV 深矽蝕刻
TSV 孔深、側壁形狀與 scallop，會影響後續襯層、種子層及填銅流程的評估。
Coronus 晶圓邊緣殘留與保護
接合異常若有晶圓邊緣污染線索，需要比較邊緣殘留與保護條件。
Striker TSV 共形絕緣內襯
TSV 漏電製程評估需比較內襯的深度覆蓋與介電特性，避免僅依名目厚度判讀。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
公開來源
聯絡資訊
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台灣 · 原廠據點
Lam Research — Hsinchu Office (TWN-26)
官方來源 ↗查閱日期
中國大陸 · 原廠據點
Lam Research — Shanghai Office (CHN-16)
官方來源 ↗查閱日期
美國 · 總部 · 業務洽詢
Lam Research Corporation — Fremont Headquarters / Business and Sales
官方來源 ↗查閱日期
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