Striker TSV 共形絕緣內襯
Lam Research · 封裝製程與工程驗證
- 方案用途
- TSV 漏電製程評估需比較內襯的深度覆蓋與介電特性，避免僅依名目厚度判讀。
- 技術方式
- Striker 以逐層反應的 ALD 沉積共形介電膜，依應用配置製程、材料及硬體。
- 適用範圍
- 原廠將 ALD 與次世代 TSV 氧化物內襯連結；實際幾何、暴露材料及熱預算須配合選定配置確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界共形沉積不保證無缺陷或符合漏電限值；側壁／底部厚度、材料介面與後續製程仍需獨立查驗。
評估準備BLNKK 建議準備 TSV 幾何與材料、熱歷史、目標內襯厚度、深度截面及未擊穿電性對照。
向供應商確認請確認適用機型與膜材、深度覆蓋及缺陷量測、熱預算和後續製程相容性，以及可提供的樣品驗證。
- 公開依據
- 產品頁說明共形內襯用途；2025 年 HBM 技術解說提供 TSV 內襯與 Striker 的應用脈絡。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。