SABRE 3D 先進封裝電化學沉積平台

Lam Research · 製程設備與溫度控制

方案用途: 針對 TSV 填孔與封裝互連電鍍，評估空洞、膜厚均勻性及晶粒內共面性等製程問題。
技術方式: 以模組化電化學沉積平台配置電鍍與前後處理單元，搭配 Electrofill 製程形成銅及其他互連金屬。
適用範圍: 涵蓋 TSV、RDL、銅柱、UBM 與凸塊等晶圓級封裝用途，實際金屬與配置須按製程選擇。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
原廠無空洞填孔說明不是所有孔形與材料的保證；均勻電鍍也不能排除種子層缺陷或保證低封裝翹曲。
評估準備
BLNKK 建議準備 TSV 孔形與種子層資料、前潤濕條件、電鍍配方與電流條件，以及截面和全晶圓填孔分布。
向供應商確認
請確認對應孔形的填孔窗口、種子層與潤濕要求、缺陷判定方法及電鍍後處理配置。
公開依據: 原廠產品頁列出 TSV、RDL 與凸塊等用途及均勻性目標；2026 年 7 月文章說明高深寬比填孔。這些是供應商能力說明，未提供使用者孔形與材料的無空洞驗證結果。

補充參考資料

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