Endura Ventura TSV barrier／seed 沉積

Applied Materials · 製程設備與溫度控制

方案用途: 比較 TSV 填銅前的阻障層與銅種子層覆蓋，評估深孔金屬化的連續性。
技術方式: Endura Ventura 以可調離子方向、密度與能量的 PVD 沉積鉭或鈦阻障層及銅種子層。
適用範圍: 原廠針對高深寬比 TSV 與 2.5D 中介層；需確認孔形、介電襯層及後續電鍍流程。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
連續種子層有助於後續填銅，但設備宣稱不保證本 TSV 無縫隙、空洞或可靠度缺陷。沉積也不能取代介電襯層與電鍍的個別驗證。
評估準備
BLNKK 建議整理孔形、襯層狀態、目標膜厚、熱預算、氧化與等待時間，以及深度截面及接觸電阻資料。
向供應商確認
確認阻障材料與設備配置、孔壁／孔底覆蓋條件、前處理及電鍍銜接，並討論膜厚連續性和填銅後驗證。
公開依據: Applied Materials 產品頁說明 TSV 金屬化、可選阻障材料與 Endura 上的種子層整合。

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