Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC Hybrid Bonding
Besi · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 為高密度 3D 整合評估混合接合所需的潔淨搬送、晶粒對位與放置。對位精度之外，還需確認表面準備與後續接合品質能否滿足實際封裝需求。
- 技術方式
- 以光學對位及精密放置配合潔淨工作區、薄晶粒搬送與線上紅外線檢查。平台可配置自動化與前處理整合，完整流程需與上游表面準備協調。
- 適用範圍
- 面向高密度互連與 3D 整合的混合接合開發及產線導入。公開搬送範圍包括 12 吋目標晶圓與不同晶粒尺寸／厚度；實際材料、治具及配置需逐案確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開對位與乾循環節拍不能當作實際接合良率或端到端產能保證。表面狀態、顆粒、翹曲、對位標記及上游製程須與設備配置一起驗證。
評估準備BLNKK 建議整理晶圓／晶粒尺寸與厚度、接合墊布局、表面與翹曲量測、對位標記及前處理流程。明確列出品質、產能與潔淨度目標，供樣品試作討論。
向供應商確認請 Besi 確認材料搬送、晶粒剝離、治具及前處理整合的適用配置。可利用原廠樣品試作，約定對位、接合品質、污染與實際節拍的驗證方式。
- 公開依據
- Besi 產品頁列出 ISO3 工作區、100 nm（3σ、GOG 最差角落）對位規格及最高 2,000 CPH 的乾循環節拍，並提供客戶材料示範。這些條件化規格不能直接代表完整製程產能或接合良率。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。