Simcenter Micred T3STER 暫態熱阻量測

Siemens Digital Industries Software · 翹曲、形貌與應力量測

方案用途: 循環測試後熱阻上升時，需要在一致量測條件下比較散熱路徑，協助判斷變化可能來自哪些區段。
技術方式: T3STER 以電性溫度感測取得加熱或冷卻暫態，再分析熱阻抗與結構函數，供熱路徑比較及模型校正使用。
適用範圍: 適用於可建立電性溫度校正與量測接點的功率元件及多晶片封裝；各晶片是否能分別觀測，取決於實際接線與熱路徑。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
T3STER 單獨量測配置不等同功率循環設備。結構函數不能單獨證明特定分層；複雜並聯熱路徑與 HBM 層別溫度仍需模型及其他量測佐證。
評估準備
BLNKK 建議整理可用量測接點、溫度校正方式、加熱功率與切換流程、冷卻邊界及循環前後紀錄，確保兩次量測條件一致。
向供應商確認
確認元件電性感測是否可行、所需量測配置、時間取樣與校正流程，以及多晶片熱路徑的解讀方法。若需整合功率循環，另確認系統範圍。
公開依據: Siemens 2018 年結構函數白皮書說明介面比較與模型校正；2019 年 IGBT 案例顯示，感測端子與功率計算方式會影響熱阻及結構函數的解讀。

補充參考資料

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