Simcenter 3D 熱—結構耦合模擬
分析溫度載荷引起的變形與應力，協助比較封裝、模組或電子系統的結構、材料及散熱設計。
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- 電子散熱、封裝熱特性量測與熱機械分析流程
應用範圍: 封裝／模組／電子系統 · IGBT／MOSFET／SiC 功率元件與模組 · 3D IC／chiplet／stacked die／heterogeneous integration · 功率元件／多晶粒封裝 · 封裝屏蔽／回流結構
目錄中的方案 · 5
Simcenter Micred Power Tester 功率循環與失效進程監測
功率元件反覆發熱與冷卻時，熱路徑或電性可能逐步劣化。Power Tester 在功率循環試驗中追蹤這些變化，協助比較封裝與組裝方案。
Calibre 3DStress 多尺度 3D IC 應力與翹曲分析
評估 3D IC 組裝與溫度變化帶來的應力、晶粒翹曲及元件電性敏感性，支援 TSV 周邊設計取捨。
Simcenter Micred T3STER 暫態熱阻量測
循環測試後熱阻上升時，需要在一致量測條件下比較散熱路徑，協助判斷變化可能來自哪些區段。
Simcenter Feko 屏蔽與電磁耦合比較
封裝屏蔽與耦合評估，需要實際屏蔽、回流路徑及激振條件的模型。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
- Simcenter 3D 熱—結構耦合模擬 · 大型 2.5D FCBGA 翹曲反轉 →
- Simcenter Micred T3STER 暫態熱阻量測 · 功率循環測試中熱阻持續上升 →
- Simcenter Micred Power Tester 功率循環與失效進程監測 · 功率循環測試中熱阻持續上升 →
- Simcenter Micred T3STER 暫態熱阻量測 · HBM 堆疊熱耦合與分層溫度 →
- Calibre 3DStress 多尺度 3D IC 應力與翹曲分析 · TSV 周邊應力與 keep-out 佈局 →
- Simcenter Feko 屏蔽與電磁耦合比較 · 封裝電磁耦合與屏蔽窗口 →
公開來源
- 產品資料：Simcenter 3D 熱—結構耦合模擬
- 公開資料：media/global/zh/simcenter-3d-solution-guide-ebook_tcm60-96838.pdf
- 技術資料：Simcenter 3D 熱多物理場模擬 (PDF)
- 產品資料：Simcenter Micred Power Tester 功率循環與失效進程監測
- 公開資料：hr-HR/e-book-using-simcenter-to-test-the-thermal-performance-of-electronics/
- 產品資料：Calibre 3DStress 多尺度 3D IC 應力與翹曲分析
- 公開資料：en-US/technical-paper-calibre-3dstress-advanced-stress-analysis-for-reliable-3d-ic-design/
- 產品資料：Simcenter Micred T3STER 暫態熱阻量測
- 產品資料：Simcenter Feko 屏蔽與電磁耦合比較
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Siemens Software — Engineering / PLM / Chip Design / Semiconductor
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