EVG40 D2W 接合後 overlay 量測
EV Group · 翹曲、形貌與應力量測
- 方案用途
- 接合後的 die-to-wafer 對位誤差需建立位置分布，才能比較偏移與製程回饋。EVG40 D2W 提供 overlay 量測。
- 技術方式
- 以光學與影像處理量測對位標記，支援雙焦點、紅外線及並列標記配置，並可輸出對位模型參數。
- 適用範圍
- 面向異質整合與先進封裝的接合後 D2W 結構。標記布局、層結構和紅外線可達性需在實際樣品上確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界看得到標記才有有效的 overlay 結果，埋藏標記不能一概假設可量測。對位合格不代表 Cu 導通、接合強度或無空洞；規格亦不一定可同時套用。
評估準備BLNKK 建議準備標記設計、die map、層結構、接合前後位置資料與製程歷程，規劃重複性、量測涵蓋率及其他接點證據的對照。
向供應商確認確認樣品的光學可達性、所需雙焦點／IR 配置與量測條件，討論精度、節拍、模型參數及資料匯出。另確認回饋如何接入既有接合設備。
- 公開依據
- 官網及完整產品單張明列接合後量測與模型回饋。原廠規劃全 die 檢測，但實際涵蓋率／速度仍受樣品與配置影響。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。