薄晶圓臨時鍵合與低應力解鍵合
薄晶圓與重組晶圓在薄化、背面加工及搬運時需要機械支撐，以控制脆弱基板的翹曲與破片風險。
EV Group
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- 晶圓接合、微影、暫時接合與脫載
應用範圍: 薄晶圓／FoWLP／3D integration · 3D IC／memory stacking／BSI CIS／hybrid bonding · chiplet／3D IC／異質整合 · Die-to-wafer 接合對位 · Fan-out／再佈線曝光
目錄中的方案 · 5
GEMINI FB XT 300 mm fusion／hybrid wafer bonding
3D IC 與記憶體堆疊需要控制晶圓表面清潔、活化及對位，讓融合或混合接合的界面與互連品質符合後續製程需求。
EVG 320 D2W 混合鍵合前清洗與表面活化
晶粒對晶圓混合鍵合前，顆粒、表面化學狀態與清潔後等待時間都可能影響接合；需要把晶粒前處理與後續取放流程一起評估。
EVG40 D2W 接合後 overlay 量測
接合後的 die-to-wafer 對位誤差需建立位置分布，才能比較偏移與製程回饋。EVG40 D2W 提供 overlay 量測。
LITHOSCALE 晶粒位移補償曝光
Fan-out 晶粒移位後，需要讓後續 RDL 曝光圖形配合實際位置，並核對對位結果。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
- 混合鍵合製程設備與整合方案 · 混合鍵合後出現局部空洞 →
- LITHOSCALE 晶粒位移補償曝光 · Fan-out／Panel 封模後晶粒位移與 RDL 對位失敗 →
- 薄晶圓臨時鍵合與低應力解鍵合 · 超薄晶圓背磨、搬送或脫載後出現崩邊與裂片 →
- EVG 接合後位置量測評估 · 混合鍵合 pad 錯位與電性開路 →
- EVG40 D2W 接合後 overlay 量測 · 混合鍵合 pad 錯位與電性開路 →
- EVG40 D2W 接合後 overlay 量測 · 混合鍵合 pad 錯位與電性開路 →
- GEMINI FB XT 300 mm fusion／hybrid wafer bonding · 混合鍵合 pad 錯位與電性開路 →
- EVG 清潔／活化流程對照評估 · 混合鍵合前表面可接合性放行 →
- EVG 320 D2W 混合鍵合前清洗與表面活化 · 混合鍵合前表面可接合性放行 →
- EVG 脫載／支撐清潔整合評估 · 臨時接合脫載殘留與清潔相容性 →
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EVG-JOINTECH CORP. — Taiwan Sales
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EV Group Inc. — North America Sales
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