LITHOSCALE 晶粒位移補償曝光
EV Group · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- Fan-out 晶粒移位後，需要讓後續 RDL 曝光圖形配合實際位置，並核對對位結果。
- 技術方式
- LITHOSCALE 以數位圖形進行無光罩曝光。晶粒層級補償結合外部位置量測、版圖處理與設備對位，產生對應的曝光圖形。
- 適用範圍
- 具可用對位標記與晶粒位置資料的晶圓級重佈線製程；須驗證光阻、基材及圖形轉換流程。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界補償不會阻止封模移位，也不能修復既有斷路。白皮書的位移補償不涵蓋熱影響；追溯標記功能也不等於對位錯誤已消除。
評估準備BLNKK 建議整理晶粒位移圖、標記品質、RDL 版圖與修正規則，以及光阻、曝光及顯影條件，安排曝光後對位量測。
向供應商確認確認外部量測與版圖資料介面、支援的補償方式、標記及基材條件，以及本光阻製程的可用對位範圍。請說明熱變形如何另行處理。
- 公開依據
- EVG 產品頁與 2024 年 1 月白皮書說明對位及形變補償，明確指出晶粒層級補償與重新佈線依賴外部量測資料。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。