接合前多尺度形貌／顆粒檢查
條件待確認先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
待確認：是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？；局部 Cu recess／roughness 與較大尺度形貌是否可對位？；顆粒檢查是否有全片／抽樣覆蓋、檢出限制和同位置重查紀錄？工程條件
確認條件，準備下一步。
針對「混合鍵合前表面可接合性放行」，補充會改變評估順序的資訊，並檢查每個候選的依據與限制。
條件可動態調整順序未知條件不會被自動判定為成立所有選擇只保留在目前瀏覽器
工程條件
用5個關鍵條件，看看評估順序如何改變。
以接合前自有窗口、多尺度形貌、顆粒覆蓋及化學等待紀錄，整理放行、重工或保留的可追溯證據。 未知維持待確認；「可評估」只表示方法輸入齊備，不表示已診斷或通過資格。
已確認0 / 5項0條路線可先評估
表面量測與窗口
活化與重工
所有路徑的條件判斷
即時變化
目前評估順序
清潔／活化及等待對照
條件待確認先補接合前化學及等待／環境紀錄。
待確認：是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？；清潔／活化後表面化學、等待與環境是否有可比紀錄？重工與放行證據審查
條件待確認先補量測覆蓋、化學和重工相容對照。
待確認：是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？；局部 Cu recess／roughness 與較大尺度形貌是否可對位？；顆粒檢查是否有全片／抽樣覆蓋、檢出限制和同位置重查紀錄？；清潔／活化後表面化學、等待與環境是否有可比紀錄？；候選重工是否有同材料、同累積熱歷史的前後相容性對照？候選方案
條件改變後的目前判斷
AFM／AFP 接合前形貌評估Bruker先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
條件待確認EVG 清潔／活化流程對照評估EV Group先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認表面放行與重工共同審查BLNKK 工程審查需求（服務方待確認）先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
條件待確認Dimension HPI 奈米表面粗糙度量測Bruker先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
條件待確認PlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水Entegris先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認CELLESTA-i MD 金屬暴露表面清潔與乾燥Tokyo Electron先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認SET 供應 ONTOS 常壓電漿表面準備SET Corporation先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認FUJIFILM Clean-100 銅 CMP 後清洗材料FUJIFILM Electronic Materials先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認EAG XPS 接合前表面化學分析Eurofins EAG Laboratories先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認JSR CMP 後清洗配方JSR先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認OCA 表面接觸角與潤濕性量測DataPhysics Instruments先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認NX20 接合前局部表面形貌Park Systems先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
條件待確認Synapse Si／ZF 300 mm 混合鍵合與退火前返工流程Tokyo Electron先補量測覆蓋、化學和重工相容對照。
條件待確認EVG 320 D2W 混合鍵合前清洗與表面活化EV Group先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認QUADRA 3D 掃描探針表面量測Nearfield Instruments先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
條件待確認SU-3400 單片晶圓清洗系統SCREEN Semiconductor Solutions先補接合前化學及等待／環境紀錄。
條件待確認此區只依你確認的條件調整評估順序；公開資料不能證明方案適用於實際樣品。
有新的測試結果？更新判讀
完成一輪對照後，按實際觀察選擇下一步。
結果只改變下一輪調查順序；不會修改條件答案、證明根因或授予方案資格。
目前判斷與下一步
依自述條件與公開資料整理；可先評估不代表已驗證樣品適用性或根因。排列順序不代表最佳方案。
已知條件 · 0
重要的未知條件 · 5
- 是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？公開應用數值不能當本製程規格；已接合樣品只能用來建立後續對照，不能倒作當批放行。
- 局部 Cu recess／roughness 與較大尺度形貌是否可對位？記錄視野、pad 密度和 wafer 位置；局部平坦不代表全片沒有長尺度偏差。
- 顆粒檢查是否有全片／抽樣覆蓋、檢出限制和同位置重查紀錄？視野不足或未檢出不是無顆粒；需按目標接合區設計覆蓋，不自行指定通用粒徑。
- 清潔／活化後表面化學、等待與環境是否有可比紀錄？記錄量測相對時點與保存；設備完成 activation 不等於所需化學終止態已達成。
- 候選重工是否有同材料、同累積熱歷史的前後相容性對照？放行、重工或保留由自有規格與權責決定；重洗可能改變 Cu recess 或表面化學。
值得評估的路徑
接合前多尺度形貌／顆粒檢查
先補自有窗口、多尺度圖和覆蓋限制。
- 是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？
- 局部 Cu recess／roughness 與較大尺度形貌是否可對位？
- 顆粒檢查是否有全片／抽樣覆蓋、檢出限制和同位置重查紀錄？
哪些條件會改變這條路徑
- 是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？支持先評估: 接合前對象與自有窗口明確 · 目前不適合: 已接合或只有通用／未驗證規格
- 局部 Cu recess／roughness 與較大尺度形貌是否可對位？支持先評估: 局部與大尺度量測可對位 · 目前不適合: 只有局部 AFM 或單一平均值
- 顆粒檢查是否有全片／抽樣覆蓋、檢出限制和同位置重查紀錄？支持先評估: 覆蓋與檢出限制可追溯 · 目前不適合: 只有單點無顆粒影像
清潔／活化及等待對照
先補接合前化學及等待／環境紀錄。
- 是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？
- 清潔／活化後表面化學、等待與環境是否有可比紀錄？
哪些條件會改變這條路徑
- 是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？支持先評估: 接合前對象與自有窗口明確 · 目前不適合: 已接合或只有通用／未驗證規格
- 清潔／活化後表面化學、等待與環境是否有可比紀錄？支持先評估: 化學與等待／環境有對照 · 目前不適合: 只有設備完成訊息
接下來先做
尚未提供結果；先補關鍵條件，再安排評估。
- 是否尚未接合，且有目標堆疊已驗證的表面放行規格與抽樣範圍？
準備這些資料
- Cu／介電層局部圖；大尺度形貌與取樣位置；自有表面規格及覆蓋計畫
- 接合前化學與等待 trace；正常／異常同材料；carrier 與下段潔淨限制
討論時先問
- 自有放行窗口與覆蓋範圍由誰驗證和批准？
- 局部 Cu recess 與長尺度形貌是否同位置可比？
公開參考來源
Bruker · AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding ↗2025 應用資料；不套其 roughness／recess 數值，AFM 小視野不能代表全片顆粒覆蓋，也不直接授予接合放行。
EV Group · EVG320 D2W ↗清潔與活化能力不提供特定表面化學、等待時間或重工窗口；仍需製程自有驗證。
帶走目前判斷
下載評估準備摘要
把目前問題摘要、條件回答、評估順序、已選方案、前提與來源整理成可編輯的 Markdown 檔。
0 / 5 項條件已確認0個已選方案
只在瀏覽器中建立檔案，不會上傳內容。
下載摘要或尋求協助，都不需要先選兩個方案。
選填案件與試驗版本0個案件 ·0個版本留在此瀏覽器
持續試驗紀錄
把條件、結果與假設保存成可追蹤版本。
案件只保存在同一瀏覽器。會保存案件標題、你在此處輸入的假設與修訂說明，以及結構化判斷；搜尋原文、問題摘要與附件不會自動寫入或上傳。
開啟案件工作區 →可在工作區管理狀態、版本與使用紀錄。
先選擇或建立案件案件會把多次試驗節點串成版本歷史。
版本保留當時的條件、結果、假設與已選方案；後續修改不會覆寫舊版。
查看候選、完整來源與限制
相關方案
16個候選方案
已選0 / 3個方案可從下方任一方案加入比較；最多同時比較 3 個方案。
至少選擇 2 個方案01
AFM／AFP 接合前形貌評估公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
AFM／AFP 接合前形貌評估
Bruker
多尺度公開方法可比較 CMP 後局部和長尺度偏差；顆粒覆蓋需另確認。
依據：Bruker：AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- Cu／介電層局部圖
- 大尺度形貌與取樣位置
- 自有表面規格及覆蓋計畫
- 局部 AFM 合格當全片放行
- 套應用資料 recess 數字
02
EVG 清潔／活化流程對照評估公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
EVG 清潔／活化流程對照評估
EV Group
D2W 清潔與 activation 能力可納入實際材料／等待的對照需求。
依據：EV Group：EVG320 D2W；ASE：Failure Analysis Lab查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- 接合前化學與等待 trace
- 正常／異常同材料
- carrier 與下段潔淨限制
- activation 完成即化學合格
- 將 W2W／D2W 等同同一窗口
上述判斷所依據的一手來源EV Group：EVG320 D2W ↗ASE：Failure Analysis Lab ↗
03
表面放行與重工共同審查編輯研究／承接待確認BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
表面放行與重工共同審查
BLNKK 工程審查需求（服務方待確認）
形貌覆蓋、化學等待和相容控制均齊備才整理製程決策證據。
依據：Bruker：AN5001 Surface Metrology for Hybrid Bonding；EV Group：EVG320 D2W；ASE：Failure Analysis Lab查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- 自有規格與製程權責
- 前後形貌／顆粒／化學
- 重工累積歷史及下段對照
- 來源工具能力當放行批准
- 未核對 Cu／介電層便重洗
04
配套分析與量測商用產品／服務BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
Dimension HPI 奈米表面粗糙度量測
Bruker
整理預接合表面的局部粗糙度與台階證據。
依據：標示 ©2019 的 B088 Rev. A0 型錄具名列出 HPI 的粗糙度、高度／深度與缺陷複查能力。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
BrukerDimension HPI 奈米表面粗糙度量測開啟正式方案資料 →- 適合探針可達、樣品固定與掃描區域已確認的裸露表面；HPI 與 Pro 的樣品及掃描配置須分開核對。
- 適用邊界 局部 AFM 不直接證明整片潔淨度、化學狀態或接合合格。探針、掃描範圍與環境會影響結果；不能把 Pro 的 300 mm 配置套用到 HPI。 評估準備 BLNKK 建議整理材料、樣品尺寸／固定方式、目標位置、粗糙度定義與掃描尺寸，並保留前處理及對照樣品紀錄。 向供應商確認 請確認現行供貨、HPI 掃描頭／樣品容量、探針與模式、校正及資料處理，再共同訂定取樣與驗收方式。
上述判斷所依據的一手來源Bruker：Dimension HPI 奈米表面粗糙度量測 ↗
05
配套分析與量測商用材料／系統BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
PlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水
Entegris
阻障層 CMP 後有殘留或銅表面異常時，可比較清潔條件對殘留、腐蝕與表面狀態的影響。
依據：現行產品頁與 2018 年兩頁資料表說明用途、材料相容性及清潔參考，並指出可能需要依應用調整 recipe。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
EntegrisPlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水開啟正式方案資料 →- 用於銅 post-CMP 清潔；原廠列有銅與多種介電材料相容性，實際膜層與殘留物仍須核對。
- 適用邊界 公開資料未證明任意混合鍵合堆疊皆可放行。清潔效果不能代替粗糙度、化學狀態或活化量測，也不保證所有殘留皆可去除。 評估準備 BLNKK 建議整理殘留鑑定、膜層、稀釋、刷洗／沖洗／乾燥及等待條件，保留清潔前後表面與腐蝕比較資料。 向供應商確認 索取現行安全與使用／評估文件，確認相容性、適合本樣品的 recipe、藥水輸送條件及可用評估資料；不要直接套用公開參考流程。
上述判斷所依據的一手來源Entegris：PlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水 ↗
06
相鄰用途，需確認適用性公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
CELLESTA-i MD 金屬暴露表面清潔與乾燥
Tokyo Electron
評估金屬暴露晶圓表面的濕清潔與乾燥，準備接合前的表面相容性討論。
依據：原廠 i MD 正文及比較表列出清潔、濕蝕刻與 New IPA dry／SMD。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係相鄰型號／系列
Tokyo ElectronCELLESTA-i MD 金屬暴露表面清潔與乾燥開啟正式方案資料 →- 具名 i MD 資料列出 300 mm 矽晶圓與 Cu 等金屬暴露層；接合面疊構需另行確認。
- 適用邊界 公開資料未提供本混合接合疊構的合格配方。原廠低損傷及圖形倒塌控制說明，不能取代表面與接合試驗。 評估準備 BLNKK 建議整理暴露膜層、污染物、表面高低差、粗糙度及氧化容許值，並記錄清潔至接合的等待條件。 向供應商確認 確認藥液對金屬／介電層的相容性、乾燥配置，以及顆粒、表面損失、水痕與後續接合的驗收方式。
上述判斷所依據的一手來源Tokyo Electron：CELLESTA-i MD 金屬暴露表面清潔與乾燥 ↗
07
配套分析與量測公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
SET 供應 ONTOS 常壓電漿表面準備
SET Corporation
比較接合前的有機殘留、表面活化與氧化層處理條件。
依據：SET 產品頁說明表面處理；2021 年公告確認 OES 製造與 SET 當時的歐洲供應角色。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
SET CorporationSET 供應 ONTOS 常壓電漿表面準備開啟正式方案資料 →- SET 列出直接接合與黏著前清潔用途；需確認表面材質、氣體配方及接合前等待時間。
- 適用邊界 抑制再氧化不等於永久保護，CMOS-safe 宣稱也不能取代本樣品損傷驗證。獨立設備與 OEM 頭的規格及目前供應地區需分別確認。 評估準備 BLNKK 建議整理金屬／介電表面、污染與氧化狀態、既有氣體／暴露條件、等待時間，以及接合與損傷判定標準。 向供應商確認 確認表面與配方相容性、處理均勻性、再氧化時間及設備整合條件，並核對現行地區供應與樣品試驗安排。
上述判斷所依據的一手來源SET Corporation：SET 供應 ONTOS 常壓電漿表面準備 ↗
08
配套分析與量測公開產品；供貨與配置待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
FUJIFILM Clean-100 銅 CMP 後清洗材料
FUJIFILM Electronic Materials
接合前表面評估，需要比較 CMP 殘留清除與清洗對銅表面的影響。
依據：官方具名產品列表說明酸性配方、低銅靜態蝕刻率及粒子／有機殘留清潔特性，未列量化條件。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 可作銅 CMP 後清洗的候選；實際銅／介電疊層與後續接合流程仍需驗證。
- 適用邊界 一般銅 CMP 用途不代表混合接合前已通過認證。低蝕刻率不等於零銅損耗；清洗也不能修復既有接合空洞或高低差。 評估準備 BLNKK 建議整理疊層、CMP／殘留種類、清洗與沖洗乾燥條件，以及銅損耗、粗糙度與殘留驗證方法。 向供應商確認 請確認實際材料相容性、使用濃度／時間、銅表面影響及保存條件，並約定後續接合的清潔度與放行驗證。
09
配套分析與量測公開提供；配置與服務範圍待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
EAG XPS 接合前表面化學分析
Eurofins EAG Laboratories
接合前清潔比較需分開形貌與表面化學。
依據：EAG 六頁服務指南說明 XPS 原理、清洗／氧化分析及限制，文件修訂為 2022 年 12 月。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
Eurofins EAG LaboratoriesEAG XPS 接合前表面化學分析開啟正式方案資料 →- 可評估尚未接合、可送測且適合真空分析的銅／介電表面；接合前用途須與實驗室確認。
- 適用邊界 XPS 主要反映最外層表面，不能直接代表已埋藏接合界面或證明接合合格；濺射深度分析會移除材料。 評估準備 BLNKK 建議整理材料、清洗／等待／轉移紀錄、對照樣品與目標位置，避免送樣污染掩蓋原始差異。 向供應商確認 確認樣品真空相容性、分析區域、充電處理、判讀方式，以及是否需要深度分析及其影響。
上述判斷所依據的一手來源Eurofins EAG Laboratories：EAG XPS 接合前表面化學分析 ↗
10
配套分析與量測公開產品；供貨與配置待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
JSR CMP 後清洗配方
JSR
比較 CMP 後清洗條件，評估接合前表面殘留的上游控制。
依據：官方頁提供粒子清洗與金屬抑制劑的定性說明，未提供可讀的指定混合接合驗證。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
JSRJSR CMP 後清洗配方開啟正式方案資料 →- 可討論 CMP 殘留清洗；實際金屬／介電層、研磨液與接合前流程須確認配方相容性。
- 適用邊界 公開介紹不保證全部殘留移除、無腐蝕或混合接合合格；清洗也不能處理已埋入的接合空洞。 評估準備 BLNKK 建議整理材料、研磨液／殘留、刷洗沖洗乾燥條件，並規劃粒子、化學殘留及粗糙度對照。 向供應商確認 確認具體配方、材料／設備相容性、清洗窗口、金屬表面影響及代表性試片的驗證方式。
上述判斷所依據的一手來源JSR：JSR CMP 後清洗配方 ↗
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配套分析與量測公開提供；配置與服務範圍待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
OCA 表面接觸角與潤濕性量測
DataPhysics Instruments
在鍵合前表面準備中，比較清洗／活化後及不同等待時間的潤濕變化，找出需進一步查驗的批次差異。
依據：官方 OCA 與 dpiMAX 頁公開接觸角、表面能和位置量測方法，未提供特定混合鍵合表面的放行標準。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
DataPhysics InstrumentsOCA 表面接觸角與潤濕性量測開啟正式方案資料 →- 適用於能定位液滴並取得清晰輪廓的表面；晶圓位置量測、自動化及環境控制需依 OCA 機型與配件確認。
- 適用邊界 接觸角或表面能不能單獨證明表面潔淨、鍵合強度或良率。不同探測液、量測時點與計算方式的結果不能直接混用，晶圓自動定位也不是所有配置的標準功能。 評估準備 BLNKK 建議準備表面材料、清洗／活化與保存履歷、處理後等待時間及取樣位置。固定探測液、滴液量和讀值時點，保留原始影像及正常批次對照。 向供應商確認 確認機型／配件、液滴與表面相容性、輪廓判讀及表面能計算方式。約定位置重複性、資料輸出與其他分析對照，鍵合放行條件須另以實件證據建立。
上述判斷所依據的一手來源DataPhysics Instruments：OCA 表面接觸角與潤濕性量測 ↗
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配套分析與量測公開提供；配置與服務範圍待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
NX20 接合前局部表面形貌
Park Systems
接合前需取得代表性區域的粗糙度與局部高度，輔助表面條件比較。
依據：官方頁與 NX20 型錄說明非接觸量測、座標導航及半導體表面案例，並區分載台與局部掃描範圍。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
Park SystemsNX20 接合前局部表面形貌開啟正式方案資料 →- 供大試樣上的指定區域取樣；探針、掃描範圍、校正及資料處理方式須配合實際表面確認。
- 適用邊界 局部形貌不能代表全晶圓顆粒覆蓋、化學潔淨度或接合強度；大試樣容量不等於同尺寸連續掃描。 評估準備 BLNKK 建議準備代表性表面、取樣位置與歷程、粗糙度定義及現有量測，並記錄影像處理設定。 向供應商確認 請確認適用探針、校正與重複性、試樣固定及環境條件，以及所需模式是否包含於配置。
上述判斷所依據的一手來源Park Systems：NX20 接合前局部表面形貌 ↗
13
配套分析與量測量產導入中／依應用確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
Synapse Si／ZF 300 mm 混合鍵合與退火前返工流程
Tokyo Electron
原廠明確提供退火前的融合或混合接合重工，可支援不合格接合對的釋放及重新檢查。
依據：原廠頁面說明 Si 支援兩種永久接合及量產採用，並明確限定 ZF 在接合後、退火前返工；2026 版型錄於 2025 年 12 月出版。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 面向 300 mm 晶圓對晶圓的 3D 整合，涵蓋影像感測、記憶體與邏輯相關應用；每種表面與流程需驗證。
- 接合對結構與是否已退火
- 原廠確認的解鍵合程序及表面狀態
- 釋放後的顆粒、形貌及化學驗收條件
- 適用邊界 退火前返工不是所有空洞或對位異常的修復保證；可處理的接合狀態、表面和返工次數仍需確認，不能借用 Z Plus 的清洗規格。 評估準備 BLNKK 建議整理晶圓尺寸、翹曲與 TTV、表面／銅形貌、清潔度、接合及檢查流程，以及退火前的放行與返工判據。 向供應商確認 請確認 Si／ZF 配置、表面處理及對位條件、可返工狀態、解接合後處理與重新接合安排，以及實際樣品的驗證結果。
- 已退火界面不在所述重工範圍
- 釋放成功不等於可直接重新接合
14
直接候選方案商用自動化製程平台BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
EVG 320 D2W 混合鍵合前清洗與表面活化
EV Group
晶粒清潔與電漿活化直接支援接合前化學控制；須把載具及等待時間納入表面驗收。
依據：現行產品頁與 V26/01 型錄列出最多六個製程模組、cassette-to-cassette／FOUP-to-FOUP 搬送及 SECS/GEM；2021 年白皮書另說明其在直接置放式 D2W 流程中的前處理角色。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係同一正式方案
EV GroupEVG 320 D2W 混合鍵合前清洗與表面活化開啟正式方案資料 →- 適用於 D2W 混合鍵合與融合鍵合的晶粒前處理，對應 chiplet 與異質整合等流程。載具或膜框需能承受電漿活化，並符合接合所需的清潔條件。
- 晶粒、載具形式及暴露材料
- 顆粒、化學、活化基線與程序
- 等待時間及後段接合設備整合
- 適用邊界 清洗與活化不能自行修正超出接合窗口的表面形貌，也不保證特定材料堆疊已合格。模組、載具與材料的可用組合需確認；2021 年資料所述量測功能不能直接視為現行標準配備。 評估準備 BLNKK 建議整理晶粒尺寸、載具／膜框、暴露材料、顆粒與表面化學基線，以及清洗後至接合的等待時間和後段設備介面，供比較前處理窗口。 向供應商確認 請確認清洗與活化對材料和載具的相容性、模組配置、允許等待時間及接合機整合方式；若需要晶粒高度或置放回饋，另確認現行量測選配與驗收方式。
- 活化不能替代不合格形貌的修正
- 表面準備完成不等於接合成功
上述判斷所依據的一手來源EV Group：EVG320 D2W ↗
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配套分析與量測原廠公開提供；配置與供貨需確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
QUADRA 3D 掃描探針表面量測
Nearfield Instruments
可接觸表面的 AFM/SPM 量測支援鍵合前粗糙度與 pad 形貌比較，需驗證探針與取樣。
依據：原廠 2024 年公告量產部署；2025 年 imec 合作另列混合鍵合表面量測的擴充開發。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
Nearfield InstrumentsQUADRA 3D 掃描探針表面量測開啟正式方案資料 →- 晶圓表面製程控制與可接觸的鍵合前表面；須確認探針、掃描模式與取樣範圍。
- 提供 pad／間距、表面、掃描／取樣、探針校正與 CMP／清洗歷程。
- 適用邊界 量測表面不等於檢查接合後埋藏空洞或化學成分；原廠量產宣稱與研發合作不保證個別堆疊已合格。 評估準備 BLNKK 建議準備銅墊尺寸及間距、表面材料、目標形貌、CMP／清洗歷程、掃描範圍與取樣計畫。 向供應商確認 請確認探針可達性、校準與重複性、可用模式及 ULSA 配置，並索取相近鍵合表面的驗證資料。
- 表面量測不是接後埋藏界面或化學分析；供應商量產案例不代表使用者堆疊已合格。
上述判斷所依據的一手來源Nearfield Instruments：QUADRA 3D 掃描探針表面量測 ↗
16
相鄰用途，需確認適用性商用產品；適用性須確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
SU-3400 單片晶圓清洗系統
SCREEN Semiconductor Solutions
一般晶圓清洗工具可先討論鍵合前污染去除，但需確認材料與配方相容，不預設已有混合鍵合合格流程。
依據：SCREEN 的 SU-3400 官方型錄與 2022 年 12 月發布資料，分別列出晶圓尺寸、藥液循環及腔體監控功能。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係相鄰型號／系列
SCREEN Semiconductor SolutionsSU-3400 單片晶圓清洗系統開啟正式方案資料 →- 原廠型錄列出 300 mm 晶圓清洗；用於薄晶圓、載板堆疊或鍵合前表面時，須另確認搬送與藥液相容性。
- 提供 300 mm 晶圓／搬運、污染物、允許藥液、表面損傷上限及清後化學／形貌參考。
- 適用邊界 已讀資料未證明目標混合鍵合材料已有合格清洗配方，也未確認所有薄晶圓或載板堆疊的搬送能力。其他機型的薄晶圓功能不能移用，清洗本身也不能判定界面失效原因。 評估準備 BLNKK 建議整理 300 mm 晶圓的厚度／翹曲、污染物、暴露材料、允許藥液與表面損傷上限，並準備清洗前後的污染、化學及形貌對照。 向供應商確認 請確認腔體／藥液配置、處理溫度、搬送限制、試作條件與清洗驗收指標；若用於鍵合前表面，另約定清洗後等待時間及後續鍵合驗證。
- 總目錄未證明特定鍵合配方；工具不會自行鑑定殘留成分，需先做試片。
仍缺少的證據與適用條件
- 尚無本堆疊已驗證的數值窗口、顆粒檢出率或 activation 最長等待；必須補製程自有依據。
- 尚無供應商參與確認、樣品驗證或真實專業回覆；公開能力不能代表承接意願。
- 本地方法尚未刊登為可證實相同關係的 canonical solution。
參考資料
15筆原廠或機構資料
展開查核來源與限制
參考資料
15筆原廠或機構資料
01
原廠技術資料AN5001 Surface Metrology for Hybrid BondingBruker · 查核日期 2026-10-04
↗02AFM 檢查局部 Cu recess／roughness；AFP 觀察較大面積形貌，局部量測和長尺度不均勻須分開。
限制：2025 應用資料；不套其 roughness／recess 數值，AFM 小視野不能代表全片顆粒覆蓋，也不直接授予接合放行。原廠產品資料EVG320 D2WEV Group · 查核日期 2026-10-04
↗03列 D2W 表面清潔、plasma activation 與 carrier／pick-and-place 整合能力。
限制：清潔與活化能力不提供特定表面化學、等待時間或重工窗口；仍需製程自有驗證。原廠產品資料Failure Analysis LabASE · 查核日期 2026-10-04
↗04列電性定位、非破壞分析及目標截面／FIB、SEM、EDX、XPS 分析能力。
限制：公開服務清單不保證微細 pad／TSV／殘膜尺度檢出或化學鑑別；取樣與承接另確認。原廠產品資料Dimension HPI 奈米表面粗糙度量測Bruker · 查核日期 2026-10-05
↗05標示 ©2019 的 B088 Rev. A0 型錄具名列出 HPI 的粗糙度、高度／深度與缺陷複查能力。
限制：適用邊界 局部 AFM 不直接證明整片潔淨度、化學狀態或接合合格。探針、掃描範圍與環境會影響結果；不能把 Pro 的 300 mm 配置套用到 HPI。 評估準備 BLNKK 建議整理材料、樣品尺寸／固定方式、目標位置、粗糙度定義與掃描尺寸，並保留前處理及對照樣品紀錄。 向供應商確認 請確認現行供貨、HPI 掃描頭／樣品容量、探針與模式、校正及資料處理，再共同訂定取樣與驗收方式。原廠產品資料PlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水Entegris · 查核日期 2026-10-06
↗06現行產品頁與 2018 年兩頁資料表說明用途、材料相容性及清潔參考，並指出可能需要依應用調整 recipe。
限制：適用邊界 公開資料未證明任意混合鍵合堆疊皆可放行。清潔效果不能代替粗糙度、化學狀態或活化量測，也不保證所有殘留皆可去除。 評估準備 BLNKK 建議整理殘留鑑定、膜層、稀釋、刷洗／沖洗／乾燥及等待條件，保留清潔前後表面與腐蝕比較資料。 向供應商確認 索取現行安全與使用／評估文件，確認相容性、適合本樣品的 recipe、藥水輸送條件及可用評估資料；不要直接套用公開參考流程。原廠產品資料CELLESTA-i MD 金屬暴露表面清潔與乾燥Tokyo Electron · 查核日期 2026-10-06
↗07原廠 i MD 正文及比較表列出清潔、濕蝕刻與 New IPA dry／SMD。
限制：適用邊界 公開資料未提供本混合接合疊構的合格配方。原廠低損傷及圖形倒塌控制說明，不能取代表面與接合試驗。 評估準備 BLNKK 建議整理暴露膜層、污染物、表面高低差、粗糙度及氧化容許值，並記錄清潔至接合的等待條件。 向供應商確認 確認藥液對金屬／介電層的相容性、乾燥配置，以及顆粒、表面損失、水痕與後續接合的驗收方式。原廠產品資料SET 供應 ONTOS 常壓電漿表面準備SET Corporation · 查核日期 2026-10-06
↗08SET 產品頁說明表面處理；2021 年公告確認 OES 製造與 SET 當時的歐洲供應角色。
限制：適用邊界 抑制再氧化不等於永久保護，CMOS-safe 宣稱也不能取代本樣品損傷驗證。獨立設備與 OEM 頭的規格及目前供應地區需分別確認。 評估準備 BLNKK 建議整理金屬／介電表面、污染與氧化狀態、既有氣體／暴露條件、等待時間，以及接合與損傷判定標準。 向供應商確認 確認表面與配方相容性、處理均勻性、再氧化時間及設備整合條件，並核對現行地區供應與樣品試驗安排。原廠產品資料FUJIFILM Clean-100 銅 CMP 後清洗材料FUJIFILM Electronic Materials · 查核日期 2026-10-06
↗09官方具名產品列表說明酸性配方、低銅靜態蝕刻率及粒子／有機殘留清潔特性，未列量化條件。
限制：適用邊界 一般銅 CMP 用途不代表混合接合前已通過認證。低蝕刻率不等於零銅損耗；清洗也不能修復既有接合空洞或高低差。 評估準備 BLNKK 建議整理疊層、CMP／殘留種類、清洗與沖洗乾燥條件，以及銅損耗、粗糙度與殘留驗證方法。 向供應商確認 請確認實際材料相容性、使用濃度／時間、銅表面影響及保存條件，並約定後續接合的清潔度與放行驗證。原廠產品資料EAG XPS 接合前表面化學分析Eurofins EAG Laboratories · 查核日期 2026-10-06
↗10EAG 六頁服務指南說明 XPS 原理、清洗／氧化分析及限制，文件修訂為 2022 年 12 月。
限制：適用邊界 XPS 主要反映最外層表面，不能直接代表已埋藏接合界面或證明接合合格；濺射深度分析會移除材料。 評估準備 BLNKK 建議整理材料、清洗／等待／轉移紀錄、對照樣品與目標位置，避免送樣污染掩蓋原始差異。 向供應商確認 確認樣品真空相容性、分析區域、充電處理、判讀方式，以及是否需要深度分析及其影響。原廠產品資料JSR CMP 後清洗配方JSR · 查核日期 2026-10-06
↗11官方頁提供粒子清洗與金屬抑制劑的定性說明，未提供可讀的指定混合接合驗證。
限制：適用邊界 公開介紹不保證全部殘留移除、無腐蝕或混合接合合格；清洗也不能處理已埋入的接合空洞。 評估準備 BLNKK 建議整理材料、研磨液／殘留、刷洗沖洗乾燥條件，並規劃粒子、化學殘留及粗糙度對照。 向供應商確認 確認具體配方、材料／設備相容性、清洗窗口、金屬表面影響及代表性試片的驗證方式。原廠產品資料OCA 表面接觸角與潤濕性量測DataPhysics Instruments · 查核日期 2026-10-06
↗12官方 OCA 與 dpiMAX 頁公開接觸角、表面能和位置量測方法，未提供特定混合鍵合表面的放行標準。
限制：適用邊界 接觸角或表面能不能單獨證明表面潔淨、鍵合強度或良率。不同探測液、量測時點與計算方式的結果不能直接混用，晶圓自動定位也不是所有配置的標準功能。 評估準備 BLNKK 建議準備表面材料、清洗／活化與保存履歷、處理後等待時間及取樣位置。固定探測液、滴液量和讀值時點，保留原始影像及正常批次對照。 向供應商確認 確認機型／配件、液滴與表面相容性、輪廓判讀及表面能計算方式。約定位置重複性、資料輸出與其他分析對照，鍵合放行條件須另以實件證據建立。原廠產品資料NX20 接合前局部表面形貌Park Systems · 查核日期 2026-10-06
↗13原廠公開半導體、大試樣與表面粗糙度用途。
限制：適用邊界 局部形貌不能代表全晶圓顆粒覆蓋、化學潔淨度或接合強度；大試樣容量不等於同尺寸連續掃描。 評估準備 BLNKK 建議準備代表性表面、取樣位置與歷程、粗糙度定義及現有量測，並記錄影像處理設定。 向供應商確認 請確認適用探針、校正與重複性、試樣固定及環境條件，以及所需模式是否包含於配置。原廠產品資料Synapse Si／ZF 300 mm 混合鍵合與退火前返工流程Tokyo Electron · 查核日期 2026-10-06
↗14原廠頁面說明 Si 支援兩種永久接合及量產採用，並明確限定 ZF 在接合後、退火前返工；2026 版型錄於 2025 年 12 月出版。
限制：適用邊界 退火前返工不是所有空洞或對位異常的修復保證；可處理的接合狀態、表面和返工次數仍需確認，不能借用 Z Plus 的清洗規格。 評估準備 BLNKK 建議整理晶圓尺寸、翹曲與 TTV、表面／銅形貌、清潔度、接合及檢查流程，以及退火前的放行與返工判據。 向供應商確認 請確認 Si／ZF 配置、表面處理及對位條件、可返工狀態、解接合後處理與重新接合安排，以及實際樣品的驗證結果。原廠產品資料QUADRA 3D 掃描探針表面量測Nearfield Instruments · 查核日期 2026-10-06
↗15原廠 2024 年公告量產部署；2025 年 imec 合作另列混合鍵合表面量測的擴充開發。
限制：適用邊界 量測表面不等於檢查接合後埋藏空洞或化學成分；原廠量產宣稱與研發合作不保證個別堆疊已合格。 評估準備 BLNKK 建議準備銅墊尺寸及間距、表面材料、目標形貌、CMP／清洗歷程、掃描範圍與取樣計畫。 向供應商確認 請確認探針可達性、校準與重複性、可用模式及 ULSA 配置，並索取相近鍵合表面的驗證資料。原廠產品資料SU-3400 單片晶圓清洗系統SCREEN Semiconductor Solutions · 查核日期 2026-10-06
↗SCREEN 的 SU-3400 官方型錄與 2022 年 12 月發布資料，分別列出晶圓尺寸、藥液循環及腔體監控功能。
限制：適用邊界 已讀資料未證明目標混合鍵合材料已有合格清洗配方，也未確認所有薄晶圓或載板堆疊的搬送能力。其他機型的薄晶圓功能不能移用，清洗本身也不能判定界面失效原因。 評估準備 BLNKK 建議整理 300 mm 晶圓的厚度／翹曲、污染物、暴露材料、允許藥液與表面損傷上限，並準備清洗前後的污染、化學及形貌對照。 向供應商確認 請確認腔體／藥液配置、處理溫度、搬送限制、試作條件與清洗驗收指標；若用於鍵合前表面，另約定清洗後等待時間及後續鍵合驗證。相關技術問答
- 自有放行窗口與覆蓋範圍由誰驗證和批准？
- 局部 Cu recess 與長尺度形貌是否同位置可比？