PlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水
Entegris · 材料與介面控制
- 方案用途
- 阻障層 CMP 後有殘留或銅表面異常時，可比較清潔條件對殘留、腐蝕與表面狀態的影響。
- 技術方式
- PlanarClean 水性配方配合刷洗、沖洗與乾燥，去除殘留並控制銅腐蝕；原廠提供常溫製程參考。
- 適用範圍
- 用於銅 post-CMP 清潔；原廠列有銅與多種介電材料相容性，實際膜層與殘留物仍須核對。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開資料未證明任意混合鍵合堆疊皆可放行。清潔效果不能代替粗糙度、化學狀態或活化量測，也不保證所有殘留皆可去除。
評估準備BLNKK 建議整理殘留鑑定、膜層、稀釋、刷洗／沖洗／乾燥及等待條件，保留清潔前後表面與腐蝕比較資料。
向供應商確認索取現行安全與使用／評估文件，確認相容性、適合本樣品的 recipe、藥水輸送條件及可用評估資料；不要直接套用公開參考流程。
- 公開依據
- 現行產品頁與 2018 年兩頁資料表說明用途、材料相容性及清潔參考，並指出可能需要依應用調整 recipe。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。