PlanarClean 銅表面 CMP 後清潔藥水
阻障層 CMP 後有殘留或銅表面異常時，可比較清潔條件對殘留、腐蝕與表面狀態的影響。
Entegris
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- 為阻障層 CMP 後的有機殘留與銅表面狀態準備清潔對照。
其他名稱: Entegris Inc.
應用範圍: 銅互連／阻障層 CMP 後表面 · WLP 銅開口／互連清潔 · RDL 光阻／PI 供液 · 接合前銅表面平坦化比較 · 接合前 CMP 墊材／形貌比較
目錄中的方案 · 5
ST-250 銅互連蝕刻後殘留清潔液
RDL 開口接觸電阻異常時，需要分辨蝕刻殘留、金屬損失與種子層覆蓋，再比較清潔條件。
Impact HV 高黏度光化學液過濾器
比較 RDL 塗佈與顯影缺陷時，需要掌握供液顆粒、微氣泡及過濾配置，才能核對供液條件的影響。
Entegris 銅 CMP 研磨液
比較接合前銅表面平坦化條件時，需要核對銅凹陷、周圍介電層形貌與製程後缺陷。
Entegris NexPlanar CMP 研磨墊
比較接合前 CMP 形貌時，研磨墊的接觸特性與耗材狀態也是影響表面的製程變因。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
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