CELLESTA-i MD 金屬暴露表面清潔與乾燥
Tokyo Electron · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 評估金屬暴露晶圓表面的濕清潔與乾燥，準備接合前的表面相容性討論。
- 技術方式
- 單片藥液清潔與濕蝕刻搭配腔體氣氛及 IPA 供料控制，處理顆粒與乾燥時的圖形倒塌風險。
- 適用範圍
- 具名 i MD 資料列出 300 mm 矽晶圓與 Cu 等金屬暴露層；接合面疊構需另行確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開資料未提供本混合接合疊構的合格配方。原廠低損傷及圖形倒塌控制說明，不能取代表面與接合試驗。
評估準備BLNKK 建議整理暴露膜層、污染物、表面高低差、粗糙度及氧化容許值，並記錄清潔至接合的等待條件。
向供應商確認確認藥液對金屬／介電層的相容性、乾燥配置，以及顆粒、表面損失、水痕與後續接合的驗收方式。
- 公開依據
- 原廠 i MD 正文及比較表列出清潔、濕蝕刻與 New IPA dry／SMD。
聯絡供應商
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相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。