薄晶圓臨時鍵合與低應力解鍵合
EV Group · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 薄晶圓與重組晶圓在薄化、背面加工及搬運時需要機械支撐，以控制脆弱基板的翹曲與破片風險。
- 技術方式
- 將元件晶圓暫時接合至載體，完成薄化和背面製程後，再依材料選用熱滑移、UV／IR 雷射或低溫解接合，配合清潔與晶圓轉移。
- 適用範圍
- 適用於 2.5D／3D IC、FoWLP、功率元件與化合物半導體等薄晶圓流程。UV 與 IR 路線的載體及釋放層條件不同，須連同製程熱預算選擇。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界各解接合路線不能任意套用於相同載體或接合材料，也不保證整體製程沒有翹曲或破片。實際條件與能力須按設備配置、材料及後段需求驗證。
評估準備建議準備晶圓尺寸、目標厚度、表面形貌／翹曲、載體與接合材料、後續製程溫度及化學環境，並說明清潔與轉移的驗收條件。
向供應商確認確認所選路線的材料相容性、解接合與分離條件、殘留物清潔及薄晶圓輸出方式。討論如何用代表性晶圓評估完整流程的破片、翹曲、TTV 與節拍。
- 公開依據
- 官方頁面與 2025 手冊說明暫時接合的支撐用途、解接合路線及清潔／轉移模組；UV 路線使用透明載體，IR LayerRelease 使用矽載體與無機釋放層。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。