Voltus 3D IC 電遷移與 IR drop 分析

Cadence · 電磁與電性模擬

方案用途: 3D-IC 微凸塊供電路徑需要比較電流、壓降及溫度條件，找出電源網路的風險區域。
技術方式: Voltus 分析電源網路的功率、電遷移與 IR drop，可結合晶粒、中介層及封裝模型進行 3D-IC 共同模擬，並與系統及熱分析工具整合。
適用範圍: 具有可用設計與萃取模型的 3D-IC 電源網路；工作負載、連接結構及製程規則須對應本堆疊。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
分析結果取決於電源與熱模型、工作負載及規則；不能單獨證明既有微凸塊損傷或實際壽命。完整堆疊與熱分析可能涉及其他工具及授權。
評估準備
BLNKK 建議整理電源網路、微凸塊／TSV 模型、電流活動、溫度與製程規則，並列出可對照的量測資料。
向供應商確認
確認本堆疊可用的模型、萃取與 EM 規則、跨工具及溫度資料流程，以及 Voltus 與其他工具的分析分工及授權。
公開依據: Cadence 產品頁明列 3D-IC 共同模擬；2024 年 10 月 7 日文章區分 Integrity 規劃、Voltus 晶片端簽核及 Sigrity 系統端簽核。

補充參考資料

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