DME8061 研磨後電漿應力消除
DISCO · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 薄晶圓研磨後的損傷層可能影響晶粒強度，需比較後處理與搬送條件。
- 技術方式
- DME8061 以非接觸電漿移除研磨損傷層；切換氣體後可接續形成吸雜層的 gettering 製程。
- 適用範圍
- 原廠列出 Φ300 mm、薄化及 DBG／SDBG 應用，並可依製程配置串接 MUSUBI 設備。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開資料未證明可修復任意深裂紋或消除所有脫載失效。實際去除量、材料相容性及強度改善須查驗；原廠明定客戶須準備氣體處理系統。
評估準備BLNKK 建議整理材料、剩餘厚度、研磨／切割歷程、損傷與強度對照，以及搬送和支撐方式。
向供應商確認請確認標準規格、氣體／吸雜配方、去除量、熱負荷、設備串接及氣體處理配置，再安排代表性晶圓試作。
- 公開依據
- 具名產品頁說明損傷層去除、gettering 與研磨／蝕刻／貼膜串接流程，並列出 SF6、Ar 氣體。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。