TAIKO 外周支撐式超薄晶圓研磨
晶圓薄化後剛性降低,翹曲與搬送風險可能影響後續製程。TAIKO 保留外周支撐環,協助處理薄晶圓。
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應用範圍: 超薄晶圓/功率器件/TSV · 薄晶圓/DBG/SDBG · 可相容 SD 製程的 200 mm 內晶圓 · 薄晶圓切割與 DBG
晶圓薄化後剛性降低,翹曲與搬送風險可能影響後續製程。TAIKO 保留外周支撐環,協助處理薄晶圓。
薄晶圓研磨後的損傷層可能影響晶粒強度,需比較後處理與搬送條件。
比較內部改質與表面雷射燒蝕的分離方式,評估晶粒邊緣及損傷差異。
薄晶圓 DBG 評估,需要對照半切槽及後續研磨分離的損傷。
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中國大陸 · 原廠據點
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美國 · 原廠據點
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