側壁取證與實際履歷
條件待確認先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
待確認：殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？；側壁成分／形貌、正常件及處理前後是否可對位，方法敏感度是否明確？；實際遮罩／保護、street 前處理、蝕刻／passivation 與去遮罩履歷是否可追溯？工程條件
確認條件，準備下一步。
針對「電漿分割側壁殘留與後清潔」，補充會改變評估順序的資訊，並檢查每個候選的依據與限制。
條件可動態調整順序未知條件不會被自動判定為成立所有選擇只保留在目前瀏覽器
工程條件
用5個關鍵條件，看看評估順序如何改變。
先定位 Bosch 分割側壁的實際成分／形貌與遮罩、保護和蝕刻履歷，再分開流程輸入與清潔相容性；無機械碎屑不代表無聚合物，作者摘要也不能授予通用無損清潔配方。 未知維持待確認；「可評估」只表示方法輸入齊備，不表示已診斷或通過資格。
已確認0 / 5項0條路線可先評估
側壁與觀察
流程與相容性
所有路徑的條件判斷
即時變化
目前評估順序
遮罩／前處理流程準備
條件待確認先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
待確認：殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？；實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？本材料清潔相容性準備
條件待確認先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
待確認：殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？；本器件表面、化學／乾處理與載具是否有相容性依據、正常件及獨立功能檢查設計？候選方案
條件改變後的目前判斷
電漿分割與前處理配置核對DISCO先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認側壁取證與實際履歷審查BLNKK 工程研究整理先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認流程或清潔方法準備BLNKK 工程研究整理先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認流程與清潔共同對照準備BLNKK 工程研究整理先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認IoN 10Q 電漿清潔與去殘膠PVA TePla先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認VERSALINE HDRF 側壁聚合物／光阻去除Plasma-Therm先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認SU5000 切割側壁與表面電子顯微觀察Hitachi High-Tech先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認LINTEC Adwill D UV 切割膠帶LINTEC Corporation先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認Nippon Kayaku NK poleve 半導體去光阻液Nippon Kayaku Co., Ltd.先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認Singulator MDS 電漿切割平台Plasma-Therm先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
條件待確認此區只依你確認的條件調整評估順序；公開資料不能證明方案適用於實際樣品。
有新的測試結果？更新判讀
完成一輪對照後，按實際觀察選擇下一步。
結果只改變下一輪調查順序；不會修改條件答案、證明根因或授予方案資格。
目前判斷與下一步
依自述條件與公開資料整理；可先評估不代表已驗證樣品適用性或根因。排列順序不代表最佳方案。
已知條件 · 0
重要的未知條件 · 5
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？脫載平面污染、前序機械裂紋和雷射 kerf 熔融另查；Bosch 名稱不能證明側壁成分。
- 側壁成分／形貌、正常件及處理前後是否可對位，方法敏感度是否明確？只看到影像變乾淨或未檢出不能宣告無聚合物；記取樣、碳／氟訊號、背景與方法偵測限制。
- 實際遮罩／保護、street 前處理、蝕刻／passivation 與去遮罩履歷是否可追溯？供應商 Bosch 說明不是本樣品流程；laser grooving、保護材料和實際移除階段須對位。
- 實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？名義街道尺寸或設備名不能代本材料；先準備前處理／去遮罩對照，不移植作者街道尺寸或配方。
- 本器件表面、化學／乾處理與載具是否有相容性依據、正常件及獨立功能檢查設計？命名清潔液或作者無損宣稱不能代本器件；需區分殘留移除、表面改變、搬取與功能代價。
值得評估的路徑
側壁取證與實際履歷
先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
- 側壁成分／形貌、正常件及處理前後是否可對位，方法敏感度是否明確？
- 實際遮罩／保護、street 前處理、蝕刻／passivation 與去遮罩履歷是否可追溯？
哪些條件會改變這條路徑
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？支持先評估: 電漿側壁與觀察階段明確 · 目前不適合: 只有脫載平面／未知側壁位置
- 側壁成分／形貌、正常件及處理前後是否可對位，方法敏感度是否明確？支持先評估: 成分／形貌與前後基準可比 · 目前不適合: 只有終點照片／未確認分析限制
- 實際遮罩／保護、street 前處理、蝕刻／passivation 與去遮罩履歷是否可追溯？支持先評估: 遮罩與蝕刻／移除履歷可追溯 · 目前不適合: 只有 Bosch 名稱／未記材料與階段
遮罩／前處理流程準備
先補此項方法缺少的可比輸入，其他方法分別評估。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
- 實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？
哪些條件會改變這條路徑
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？支持先評估: 電漿側壁與觀察階段明確 · 目前不適合: 只有脫載平面／未知側壁位置
- 實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？支持先評估: 材料／遮罩與前處理配置可追溯 · 目前不適合: 只有設備名／通用遮罩資料
接下來先做
尚未提供結果；先補關鍵條件，再安排評估。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
準備這些資料
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？；實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？；側壁成分／形貌、正常件及處理前後是否可對位，方法敏感度是否明確？；實際遮罩／保護、street 前處理、蝕刻／passivation 與去遮罩履歷是否可追溯？
討論時先問
- 側壁成分／形貌與前後正常件的敏感度和背景如何對位？
- 實際遮罩、passivation、街道前處理與移除履歷有哪些可追溯資料？
公開參考來源
DISCO · DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力 ↗無機械加工碎屑的供應商描述不等於無 passivation polymer、化學損傷或遮罩殘留；本材料、流程配置、服務承接與參與仍待確認。
AVS／Plasma-Therm 作者 · AVS 2023 側壁聚合物移除作者摘要 ↗供應商作者會議摘要不是完整 peer-reviewed 比較資料；EDX 受方法敏感度限制，命名化學品、街道尺寸與無損宣稱不能作通用清潔配方或本器件放行。
帶走目前判斷
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把目前問題摘要、條件回答、評估順序、已選方案、前提與來源整理成可編輯的 Markdown 檔。
0 / 5 項條件已確認0個已選方案
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下載摘要或尋求協助，都不需要先選兩個方案。
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持續試驗紀錄
把條件、結果與假設保存成可追蹤版本。
案件只保存在同一瀏覽器。會保存案件標題、你在此處輸入的假設與修訂說明，以及結構化判斷；搜尋原文、問題摘要與附件不會自動寫入或上傳。
開啟案件工作區 →可在工作區管理狀態、版本與使用紀錄。
先選擇或建立案件案件會把多次試驗節點串成版本歷史。
版本保留當時的條件、結果、假設與已選方案；後續修改不會覆寫舊版。
查看候選、完整來源與限制
相關方案
10個候選方案
已選0 / 3個方案可從下方任一方案加入比較；最多同時比較 3 個方案。
至少選擇 2 個方案01
電漿分割與前處理配置核對公開材料／工具能力候選BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
電漿分割與前處理配置核對
DISCO
現行官方頁列 street film／metal 前處理、Bosch 分割和試切／設備支援；先詢問本街道、遮罩與保護材料配置。
依據：DISCO：DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
- 實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？
- 產品／工具對本樣品配置尚待供應方確認
- 所屬方法缺少可用量測或模型輸入
上述判斷所依據的一手來源DISCO：DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力 ↗
02
側壁取證與實際履歷審查公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
側壁取證與實際履歷審查
BLNKK 工程研究整理
審查側壁成分／形貌與保護、蝕刻及移除階段。
依據：DISCO：DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力；AVS／Plasma-Therm 作者：AVS 2023 側壁聚合物移除作者摘要查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
- 側壁成分／形貌、正常件及處理前後是否可對位，方法敏感度是否明確？
- 實際遮罩／保護、street 前處理、蝕刻／passivation 與去遮罩履歷是否可追溯？
- 位置／階段尚未辨認
- 量測或對照輸入已知不可用
03
流程或清潔方法準備公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
流程或清潔方法準備
BLNKK 工程研究整理
兩項方法可各自準備；任一項輸入完整時，先進行該項方法設計。
依據：DISCO：DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力；AVS／Plasma-Therm 作者：AVS 2023 側壁聚合物移除作者摘要查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
- 實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？
- 本器件表面、化學／乾處理與載具是否有相容性依據、正常件及獨立功能檢查設計？
- 兩項方法輸入都已知不可用
04
流程與清潔共同對照準備公開方法／能力BLNKK 公開資料整理 · 參與與樣品適用性待確認
流程與清潔共同對照準備
BLNKK 工程研究整理
兩項準備方法都完整時，再安排共同條件下的比較；結果解讀仍須其實際觀察與量測基準。
依據：DISCO：DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力；AVS／Plasma-Therm 作者：AVS 2023 側壁聚合物移除作者摘要查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係正式方案資料尚待建檔
目前只有經查核的公開流程資料，未與 BLNKK 正式方案資料庫中的單一產品紀錄建立對應。
- 殘留是否定位於 plasma dicing 晶粒側壁，且保護／去遮罩階段已分開？
- 實際 street 金屬／film、遮罩版本、蝕刻設備配置與幾何是否有可控輸入？
- 本器件表面、化學／乾處理與載具是否有相容性依據、正常件及獨立功能檢查設計？
- 任一方法輸入已知不可用
- 只以結果選項回填量測或對照
05
相鄰用途，需確認適用性商用產品／服務BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
IoN 10Q 電漿清潔與去殘膠
PVA TePla
為已辨識的有機殘膠準備清潔製程比較。
依據：IoN 10Q 官方產品頁列出上述用途、桌上型設計、配方步驟控制與製程監控功能。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係相鄰型號／系列
PVA TePlaIoN 10Q 電漿清潔與去殘膠開啟正式方案資料 →- 原廠列出的用途為光阻灰化、descum、表面清潔與活化；是否適合特定材料與殘留物，需要樣品試驗。
- 適用邊界 光阻去殘膠不等於已證實可清除所有電漿分割側壁殘留。公開頁面未提供該用途的材料選擇性或樣品驗證。 評估準備 BLNKK 建議整理殘留物分析、處理前後影像、材料堆疊與樣品外形，並訂出清潔程度及材料損傷的判定方式。 向供應商確認 確認實際殘留物可採用的氣體與配方、側壁處理可達性、材料相容性，以及試片測試與清潔後檢查方式。
上述判斷所依據的一手來源PVA TePla：IoN 10Q 電漿清潔與去殘膠 ↗
06
相鄰用途，需確認適用性公開產品；專案配置與供貨待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
VERSALINE HDRF 側壁聚合物／光阻去除
Plasma-Therm
準備電漿蝕刻後有機側壁殘留的清潔試驗。
依據：官方 VERSALINE 產品頁具名說明 HDRF 的機制、去除用途及配置，與其他蝕刻／沉積模組分開。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係相鄰型號／系列
Plasma-ThermVERSALINE HDRF 側壁聚合物／光阻去除開啟正式方案資料 →- HDRF 段列出 50–200 mm 晶圓及 80–250°C 硬體範圍；切割載框、膠帶與薄晶粒用途須另確認。
- 適用邊界 公開用途不代表所有殘留都可去除，也不保證任意封裝無損傷。硬體範圍不能替代材料、膠帶及實件熱窗口驗證。 評估準備 BLNKK 建議整理殘留成分／位置、側壁、遮罩、膠帶／載具及熱預算，並保留清潔前後的表面化學與殘留對照。 向供應商確認 請確認適用化學、溫度／時間、載具及材料相容性，並討論氧化、殘留與後續接著或強度的驗收方法。
上述判斷所依據的一手來源Plasma-Therm：VERSALINE HDRF 側壁聚合物／光阻去除 ↗
07
配套分析與量測公開產品；供貨與配置待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
SU5000 切割側壁與表面電子顯微觀察
Hitachi High-Tech
取得切割側壁殘留與損傷的細部形貌，供製程前後與異常區域比較。
依據：Hitachi 產品頁說明真空模式、成像引導與材料／半導體案例，包含形貌與背向散射對比。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
Hitachi High-TechSU5000 切割側壁與表面電子顯微觀察開啟正式方案資料 →- 適用於可外露、固定並以電子束觀察的側壁或製備截面；材質、幾何與充電狀況影響條件。
- 適用邊界 不能直接穿透不透明封裝觀察內部介面；形貌或成分對比不等於殘留物化學鑑定。充電、鍍膜及束流影響需納入影像判讀。 評估準備 BLNKK 建議整理目標位置、表面與截面取得方式、材質／導電性、既有影像，以及允許的鍍膜和束流條件。 向供應商確認 確認固定與接地、真空及偵測器選擇、低損傷成像條件，並討論是否需另行化學分析與對照樣品。
上述判斷所依據的一手來源Hitachi High-Tech：SU5000 切割側壁與表面電子顯微觀察 ↗
08
配套分析與量測公開產品；供貨與配置待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
LINTEC Adwill D UV 切割膠帶
LINTEC Corporation
電漿切割殘留調查，也需對照固定材料與拾取條件。
依據：原廠頁明列 UV 降黏及電漿／雷射等切割用途，不列通用製程配方。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係支援檢查方法
LINTEC CorporationLINTEC Adwill D UV 切割膠帶開啟正式方案資料 →- D 系列列有電漿切割選項；所選牌號對電漿、熱與化學條件的相容性需驗證。
- 適用邊界 膠帶不提供電漿蝕刻配方或側壁去殘留功能；其他耐熱／耐溶劑選項不代表每個電漿牌號。 評估準備 BLNKK 建議整理牌號、膜厚、電漿／溫度歷程、UV 條件與拾取力，對照固定、側壁及殘留觀察。 向供應商確認 請確認牌號與製程相容性、UV／拾取窗口、污染判定及清洗要求，安排代表性流程驗證。
上述判斷所依據的一手來源LINTEC Corporation：LINTEC Adwill D UV 切割膠帶 ↗
09
配套分析與量測公開產品；供貨與配置待確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
Nippon Kayaku NK poleve 半導體去光阻液
Nippon Kayaku Co., Ltd.
電漿切割後的清洗選擇需先分辨光阻、蝕刻殘留與側壁損傷。
依據：官方半導體段落具名區分 517／496，並列出 WLP 光阻與灰化後殘留清洗用途。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
- 可評估光阻去除需求；切割後殘留、裸露金屬及介電材料的相容性需另確認。
- 適用邊界 公開頁未證實特定電漿切割流程的相容性，也不保證零殘留、零腐蝕或修復矽損傷；未具名的灰化清洗示例不能直接套用至 517／496。 評估準備 BLNKK 建議整理光阻與電漿條件、殘留分析、側壁／金屬／介電層材料，以及清洗前後影像與電性觀察。 向供應商確認 請確認適用牌號、對目標殘留的去除能力、浸泡／沖洗／乾燥條件，以及金屬腐蝕、表面變化與後續接合相容性的評估。
10
直接候選方案商用產品；適用性須確認BLNKK 公開資料整理 · 適用性待確認
Singulator MDS 電漿切割平台
Plasma-Therm
以實際 plasma dicing 的遮罩、蝕刻／保護與終點條件比較側壁殘留，另做形貌／成分檢查。
依據：原廠頁面說明 MDS-100／300、ICP、端點與溫控；PDBG 頁另交代先蝕刻切割道、再研磨分離晶粒的順序。查看適用前提、排除條件與正式方案關係
正式方案資料關係同一正式方案
Plasma-ThermSingulator MDS 電漿切割平台開啟正式方案資料 →- 面向薄晶圓、先進封裝及 MEMS 分割。MDS 系列涵蓋不同晶圓尺寸，須按型號及膠帶／框架配置確認。
- 提供晶圓堆疊、遮罩／street、蝕刻／保護／終點配方、膠帶與側壁對照樣品。
- 適用邊界 可蝕刻性取決於切割道材料、遮罩與製程配置，不能推定任意金屬／介電堆疊皆相容。原廠側壁與晶粒強度陳述也不能直接當作零殘留或良率保證。 評估準備 BLNKK 建議準備晶圓厚度、切割道截面與材料、遮罩及膠帶／載板資料。整理側壁殘留、損傷、蝕刻深度與後續取晶粒的驗收方式。 向供應商確認 確認採 PDOT、PDOC 或 PDBG 的原因，以及所選型號的尺寸與框架支援。再確認金屬清除、選擇比、端點、溫控及試片側壁的量測方法。
- 平滑側壁宣稱不代表零殘留；設備不是表面化學分析，金屬堆疊相容性需驗證。
上述判斷所依據的一手來源Plasma-Therm：Singulator MDS 電漿切割平台 ↗
仍缺少的證據與適用條件
- 尚無已查核可承接本未知後清潔流程的特定服務，DISCO 候選限分割／前處理配置核對。
- AVS 作者摘要不是完整比較資料，無通用聚合物清潔配方、damage-free 或器件放行結論。
- 尚無供應商參與確認、樣品驗證或真實專業回覆；公開能力不能代表承接意願。
- 本地方法尚未刊登為已確認相同關係的正式方案。
參考資料
8筆原廠或機構資料
展開查核來源與限制
參考資料
8筆原廠或機構資料
01
原廠技術資料DISCO 電漿分割、街道前處理與供應能力DISCO · 查核日期 2026-10-04
↗02官方頁列真空 Bosch 分割、遮罩／街道 film／metal 前處理及 backgrind／mount／laser-groove／plasma 順序，並敘述電漿設備與試切支援。
限制：無機械加工碎屑的供應商描述不等於無 passivation polymer、化學損傷或遮罩殘留；本材料、流程配置、服務承接與參與仍待確認。標準／機構資料AVS 2023 側壁聚合物移除作者摘要AVS／Plasma-Therm 作者 · 查核日期 2026-10-04
↗03PS-TuP-1 作者摘要描述 Bosch 側壁聚合物保護、後蝕刻移除，以及用 EDX 觀察 carbon／fluoropolymer 殘留和濕／乾處理。
限制：供應商作者會議摘要不是完整 peer-reviewed 比較資料；EDX 受方法敏感度限制，命名化學品、街道尺寸與無損宣稱不能作通用清潔配方或本器件放行。原廠產品資料IoN 10Q 電漿清潔與去殘膠PVA TePla · 查核日期 2026-10-05
↗04IoN 10Q 官方產品頁列出上述用途、桌上型設計、配方步驟控制與製程監控功能。
限制：適用邊界 光阻去殘膠不等於已證實可清除所有電漿分割側壁殘留。公開頁面未提供該用途的材料選擇性或樣品驗證。 評估準備 BLNKK 建議整理殘留物分析、處理前後影像、材料堆疊與樣品外形，並訂出清潔程度及材料損傷的判定方式。 向供應商確認 確認實際殘留物可採用的氣體與配方、側壁處理可達性、材料相容性，以及試片測試與清潔後檢查方式。原廠產品資料VERSALINE HDRF 側壁聚合物／光阻去除Plasma-Therm · 查核日期 2026-10-06
↗05官方 VERSALINE 產品頁具名說明 HDRF 的機制、去除用途及配置，與其他蝕刻／沉積模組分開。
限制：適用邊界 公開用途不代表所有殘留都可去除，也不保證任意封裝無損傷。硬體範圍不能替代材料、膠帶及實件熱窗口驗證。 評估準備 BLNKK 建議整理殘留成分／位置、側壁、遮罩、膠帶／載具及熱預算，並保留清潔前後的表面化學與殘留對照。 向供應商確認 請確認適用化學、溫度／時間、載具及材料相容性，並討論氧化、殘留與後續接著或強度的驗收方法。原廠產品資料SU5000 切割側壁與表面電子顯微觀察Hitachi High-Tech · 查核日期 2026-10-06
↗06Hitachi 產品頁說明真空模式、成像引導與材料／半導體案例，包含形貌與背向散射對比。
限制：適用邊界 不能直接穿透不透明封裝觀察內部介面；形貌或成分對比不等於殘留物化學鑑定。充電、鍍膜及束流影響需納入影像判讀。 評估準備 BLNKK 建議整理目標位置、表面與截面取得方式、材質／導電性、既有影像，以及允許的鍍膜和束流條件。 向供應商確認 確認固定與接地、真空及偵測器選擇、低損傷成像條件，並討論是否需另行化學分析與對照樣品。原廠產品資料LINTEC Adwill D UV 切割膠帶LINTEC Corporation · 查核日期 2026-10-06
↗07現行 D 系列頁明列電漿與雷射切割應用。
限制：適用邊界 膠帶不提供電漿蝕刻配方或側壁去殘留功能；其他耐熱／耐溶劑選項不代表每個電漿牌號。 評估準備 BLNKK 建議整理牌號、膜厚、電漿／溫度歷程、UV 條件與拾取力，對照固定、側壁及殘留觀察。 向供應商確認 請確認牌號與製程相容性、UV／拾取窗口、污染判定及清洗要求，安排代表性流程驗證。原廠產品資料Nippon Kayaku NK poleve 半導體去光阻液Nippon Kayaku Co., Ltd. · 查核日期 2026-10-06
↗08官方半導體段落具名區分 517／496，並列出 WLP 光阻與灰化後殘留清洗用途。
限制：適用邊界 公開頁未證實特定電漿切割流程的相容性，也不保證零殘留、零腐蝕或修復矽損傷；未具名的灰化清洗示例不能直接套用至 517／496。 評估準備 BLNKK 建議整理光阻與電漿條件、殘留分析、側壁／金屬／介電層材料，以及清洗前後影像與電性觀察。 向供應商確認 請確認適用牌號、對目標殘留的去除能力、浸泡／沖洗／乾燥條件，以及金屬腐蝕、表面變化與後續接合相容性的評估。原廠產品資料Singulator MDS 電漿切割平台Plasma-Therm · 查核日期 2026-10-06
↗原廠頁面說明 MDS-100／300、ICP、端點與溫控；PDBG 頁另交代先蝕刻切割道、再研磨分離晶粒的順序。
限制：適用邊界 可蝕刻性取決於切割道材料、遮罩與製程配置，不能推定任意金屬／介電堆疊皆相容。原廠側壁與晶粒強度陳述也不能直接當作零殘留或良率保證。 評估準備 BLNKK 建議準備晶圓厚度、切割道截面與材料、遮罩及膠帶／載板資料。整理側壁殘留、損傷、蝕刻深度與後續取晶粒的驗收方式。 向供應商確認 確認採 PDOT、PDOC 或 PDBG 的原因，以及所選型號的尺寸與框架支援。再確認金屬清除、選擇比、端點、溫控及試片側壁的量測方法。評估前確認
開始評估前要問的問題
展開評估清單
評估前確認
開始評估前要問的問題
- 側壁成分／形貌與前後正常件的敏感度和背景如何對位？
- 實際遮罩、passivation、街道前處理與移除履歷有哪些可追溯資料？
- 本器件如何分別檢查殘留、表面相容性和功能，而不套摘要配方？
相關技術問答
- 側壁成分／形貌與前後正常件的敏感度和背景如何對位？
- 實際遮罩、passivation、街道前處理與移除履歷有哪些可追溯資料？