Singulator MDS 電漿切割平台
Plasma-Therm · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 薄晶圓分割時若需比較鋸切以外的方式，可評估 Singulator 電漿切割。重點是切割道、側壁與後續取晶粒流程的相容性。
- 技術方式
- 以 ICP 電漿蝕刻分割晶粒，搭配端點偵測與基板溫度控制。可依流程選用膠帶上切割、暫時接合載板或先蝕刻再研磨。
- 適用範圍
- 面向薄晶圓、先進封裝及 MEMS 分割。MDS 系列涵蓋不同晶圓尺寸，須按型號及膠帶／框架配置確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界可蝕刻性取決於切割道材料、遮罩與製程配置，不能推定任意金屬／介電堆疊皆相容。原廠側壁與晶粒強度陳述也不能直接當作零殘留或良率保證。
評估準備BLNKK 建議準備晶圓厚度、切割道截面與材料、遮罩及膠帶／載板資料。整理側壁殘留、損傷、蝕刻深度與後續取晶粒的驗收方式。
向供應商確認確認採 PDOT、PDOC 或 PDBG 的原因，以及所選型號的尺寸與框架支援。再確認金屬清除、選擇比、端點、溫控及試片側壁的量測方法。
- 公開依據
- 原廠頁面說明 MDS-100／300、ICP、端點與溫控；PDBG 頁另交代先蝕刻切割道、再研磨分離晶粒的順序。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。