Singulator MDS 電漿切割平台
薄晶圓分割時若需比較鋸切以外的方式,可評估 Singulator 電漿切割。重點是切割道、側壁與後續取晶粒流程的相容性。
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查看聯絡資訊 ↓應用範圍: 薄晶圓/晶粒分割 · 矽側壁有機殘留/光阻 · C4/die attach 晶圓金屬層 · TSV 介電襯層
薄晶圓分割時若需比較鋸切以外的方式,可評估 Singulator 電漿切割。重點是切割道、側壁與後續取晶粒流程的相容性。
深矽蝕刻後的側壁聚合物或光阻殘留,需要先確認成分,再比較去除與表面相容性。
封裝金屬層評估需要比較沉積條件與膜層狀態,供後續凸塊或固晶製程使用。
TSV liner 漏電比較需區分介電沉積、孔型與實際電性背景。
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