KOBUS F.A.S.T. TSV 氧化矽襯層沉積
Plasma-Therm · 封裝製程與工程驗證
- 方案用途
- TSV liner 漏電比較需區分介電沉積、孔型與實際電性背景。
- 技術方式
- KOBUS 的 F.A.S.T. 以分離供氣、時間控制及電漿脈衝／氣體重疊進行沉積。
- 適用範圍
- 官方明列 SiO₂ TSV liner 用途；需依孔深／寬、晶圓與熱預算評估製程。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界原廠指出並非所有用途都適合；較厚保形膜描述不等於所有孔型皆達 ALD 保形程度，亦未證明本 TSV 無針孔或通過漏電／崩潰驗證。
評估準備BLNKK 建議整理 TSV 深寬比、表面與清潔履歷、目標膜厚／熱預算，以及量測拓樸、低電流背景與未擊穿對照。
向供應商確認請確認前驅物與設備配置、孔內膜厚分布、污染與覆蓋評估，以及代表性 TSV 的絕緣、漏電與崩潰測試。
- 公開依據
- 產品與製程頁相互連結，說明較厚保形膜用途及 2.5D／3D TSV 絕緣層案例。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。