VERSALINE HDRF 側壁聚合物／光阻去除
Plasma-Therm · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 深矽蝕刻後的側壁聚合物或光阻殘留，需要先確認成分，再比較去除與表面相容性。
- 技術方式
- VERSALINE HDRF 以高密度自由基的下游化學處理進行去光阻、表面處理及 post-DSE 聚合物去除。
- 適用範圍
- HDRF 段列出 50–200 mm 晶圓及 80–250°C 硬體範圍；切割載框、膠帶與薄晶粒用途須另確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開用途不代表所有殘留都可去除，也不保證任意封裝無損傷。硬體範圍不能替代材料、膠帶及實件熱窗口驗證。
評估準備BLNKK 建議整理殘留成分／位置、側壁、遮罩、膠帶／載具及熱預算，並保留清潔前後的表面化學與殘留對照。
向供應商確認請確認適用化學、溫度／時間、載具及材料相容性，並討論氧化、殘留與後續接著或強度的驗收方法。
- 公開依據
- 官方 VERSALINE 產品頁具名說明 HDRF 的機制、去除用途及配置，與其他蝕刻／沉積模組分開。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。