SU5000 切割側壁與表面電子顯微觀察
Hitachi High-Tech · 工程量測與特性分析
- 方案用途
- 取得切割側壁殘留與損傷的細部形貌，供製程前後與異常區域比較。
- 技術方式
- SU5000 以 Schottky 場發射電子束成像，提供高真空／可變壓模式及依樣品選擇的電子訊號。
- 適用範圍
- 適用於可外露、固定並以電子束觀察的側壁或製備截面；材質、幾何與充電狀況影響條件。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界不能直接穿透不透明封裝觀察內部介面；形貌或成分對比不等於殘留物化學鑑定。充電、鍍膜及束流影響需納入影像判讀。
評估準備BLNKK 建議整理目標位置、表面與截面取得方式、材質／導電性、既有影像，以及允許的鍍膜和束流條件。
向供應商確認確認固定與接地、真空及偵測器選擇、低損傷成像條件，並討論是否需另行化學分析與對照樣品。
- 公開依據
- Hitachi 產品頁說明真空模式、成像引導與材料／半導體案例，包含形貌與背向散射對比。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。