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TAIKO 外周支撐式超薄晶圓研磨

DISCO Corporation · 製程設備與溫度控制

方案用途
晶圓薄化後剛性降低,翹曲與搬送風險可能影響後續製程。TAIKO 保留外周支撐環,協助處理薄晶圓。
技術方式
背磨時保留約 3 mm 的晶圓外周,只薄化內部區域,利用晶圓本身的環狀結構支撐。後續流程另安排去環與切割。
適用範圍
官方列出 200/300 mm 加工設備及薄化後穿孔、凸塊與金屬化等加工用途。2022 年簡報另展示矽功率元件的 TAIKO 流程。
限制與待確認事項

以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議,並非原廠保證或必備資料清單。

適用邊界

它主要處理薄化晶圓的結構支撐,不能直接代表封裝級熱翹曲已解決。外周環與加工順序需匹配;整體流程仍可能使用保護膜或其他支撐。

評估準備

BLNKK 建議準備晶圓材料與尺寸、目標厚度、邊緣元件布局、現有翹曲及後段加工流程。用代表性晶圓評估搬送與去環。

向供應商確認

確認機型、目標厚度、外周環條件、研磨與應力釋放方式,以及貼膜、搬送、去環和切割的相容性。另議定加工品質與量測驗收方式。

公開依據
原廠製程頁說明降低晶圓翹曲及提升強度的原理;2022 年 12 月簡報展示貼膜、背面加工與去環流程。未提供所有晶圓共用的翹曲保證值。

補充參考資料

聯絡供應商

查看公司聯絡資訊,透過官方管道詢問此方案。

相關工程問題

以下連結來自已建立的方案關係,可接續查看工程條件與評估準備。

資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案;方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。