Reflexion LK 銅／介電層 CMP 整平

Applied Materials · 製程設備與溫度控制

方案用途: TSV 整平與混合接合表面的銅／介電層相對高度，需要連同拋光後污染與接合結果一起評估。
技術方式: Reflexion LK 以三站連續 CMP 搭配終點與輪廓控制，再整合後清潔與蒸氣乾燥。
適用範圍: 300 mm 晶圓平台；2023 年 Applied／Besi 簡報將其列入 TSV 整平、reveal 拋光及混合接合銅 CMP 流程。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
簡報案例的高度與良率不是通用設備規格。CMP 表面控制不能取代後續清潔、接合及電性驗證。
評估準備
BLNKK 建議整理膜層、圖形密度、進料形貌、dishing 目標與現用 slurry／pad，並保留拋光後形貌、顆粒與接合對照。
向供應商確認
請確認材料配方、終點／輪廓控制配置、清潔相容性與量測方法，再共同訂定樣品試作及接合面驗收條件。
公開依據: 原廠產品頁說明拋光、清潔與控制能力；IMAPS 簡報呈現接合面 CMP 與 barrier 高度共同優化的案例。

補充參考資料

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