Solstice Wet Etch UBM／seed 金屬隔離

ClassOne Technology · 製程設備與溫度控制

方案用途: 比較 RDL 電鍍與去光阻後的殘留金屬去除，評估圖形間電氣隔離。
技術方式: Solstice Wet Etch 以 flood-flow 藥液供應、精密轉速與終點偵測，控制 UBM 或圖形金屬蝕刻。
適用範圍: 原廠列出 WLP 與 flip chip；需依金屬堆疊、線路尺寸及選擇性評估配方。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
公開示例不能保證所有堆疊零側蝕，也不代表所有短路都可由濕蝕刻修復。去除殘膜與保留線路尺寸需同時驗證。
評估準備
BLNKK 建議整理種子／阻障層、金屬厚度、線寬間距、殘留位置、可用藥液，以及蝕刻前後形貌與電性。
向供應商確認
確認藥液選擇性、終點方法與側蝕窗口，並討論殘留判定、尺寸損失及清潔後電氣隔離驗證。
公開依據: ClassOne 產品頁說明鍍後隔離用途，並列出均勻性、重複性、側蝕與尺寸損失等考量。

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