TersOnus RDL 種子金屬濕蝕刻
Yield Engineering Systems · 製程設備與溫度控制
- 方案用途
- 比較電鍍後種子金屬去除的製程選項，評估 RDL 線路隔離。
- 技術方式
- 依金屬配置濕式蝕刻，搭配機上藥液管理及可選的批量供液設備。
- 適用範圍
- 原廠列出晶圓／面板處理、Cu／Ti／TiW／Ru 與種子金屬蝕刻；實際膜層與尺寸需確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界公開資料未提供本 RDL 疊構的選擇比或側蝕量。去除種子層不能直接證明鍍層橋接等其他短路原因已排除。
評估準備BLNKK 建議整理金屬／介電疊構、膜厚、線寬／間距與殘留分布，並定義線路損失及電性隔離驗收條件。
向供應商確認確認藥液與金屬相容性、蝕刻均勻性、側蝕／選擇比、晶圓或面板搬運，以及清潔後殘留與電性驗證方式。
- 公開依據
- TersOnus 官方產品頁的 Metal Etch 段明列金屬種類及 seed metal etch。
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。