CoWoS-R RDL 中介層與 CTE 緩衝結構

TSMC · 封裝結構與變形補償

方案用途: 大型 HPC／AI 多晶粒封裝需要高密度互連，同時評估 SoC、中介層與載板之間的熱膨脹不匹配及接合應力。
技術方式: 以聚合物與銅線路構成 RDL 中介層；原廠說明 RDL 及 C4／底填膠層可提供順應性，緩衝 SoC 與載板的熱失配。
適用範圍: 用於 SoC、HBM 與多晶粒先進封裝整合；應連同晶粒配置、供電、散熱、載板及板級要求共同評估。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
這是晶圓代工的封裝整合服務，不是獨立中介層零件；公開架構資訊不能替代產品設計規則、翹曲與可靠度確認。
評估準備
可先整理晶粒／HBM 配置、互連與頻寬需求、功耗、載板限制，以及散熱、翹曲及板級可靠度目標。
向供應商確認
請確認可用設計規則與整合規格、產品尺寸及材料限制、驗證要求，以及專案時程、產能和供應安排。
公開依據: TSMC 官方頁列出最小 4 µm RDL 線路節距（2 µm 線寬／線距）及 CTE 緩衝機制；2024 年報確認 CoWoS-R 量產第二年。線路節距不是接點節距，架構說明也不保證任意產品的翹曲表現。

補充參考資料

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