CoWoS-R RDL 中介層與 CTE 緩衝結構
大型 HPC／AI 多晶粒封裝需要高密度互連，同時評估 SoC、中介層與載板之間的熱膨脹不匹配及接合應力。
TSMC
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- CoWoS-R RDL 中介層與 CTE 緩衝結構 · 封裝結構與變形補償
- TSMC SoIC 三維晶片堆疊平台 · 封裝結構與變形補償
應用範圍: HPC／AI 多晶片與 HBM 整合 · 三維堆疊 TSV 設計檢視 · 扇出封裝架構／位置預算比較
目錄中的方案 · 3
TSMC SoIC 三維晶片堆疊平台
TSV 鄰近元件評估需要把實際三維堆疊結構與供應商設計規則一起檢視。
TSMC InFO 整合型扇出封裝
扇出晶粒位移調查可引出封裝架構與位置公差的重新比較。
工程問題中的候選方案
以下候選方案已收錄於工程問題流程，可接續查看條件、來源與比較內容。
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北美新客戶請展開「North America」，按所在地區連結開啟 New Customer Inquiry 表單。亞洲窗口不含日本與中國大陸；中國大陸請選華北、華南或華東窗口。晶圓製造與先進封裝合作請說明需求；台積電不直接銷售終端 IC 產品。現有客戶請洽原業務負責人。 官方來源 ↗
台灣 · 原廠據點 · 業務洽詢
TSMC Asia Business Division
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中國大陸 · 原廠據點 · 業務洽詢
TSMC China Business Development — East China / Shanghai
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美國 · 原廠據點 · 業務洽詢
TSMC North America — Marketing and Customer Service
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更多地區聯絡方式 (2)
窗口資料依原廠公開資訊整理；特定產品的負責窗口與服務範圍，請向供應商確認。
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