Samsung Foundry 2.5D Cube-S 矽中介層平台

Samsung Foundry · 封裝結構與變形補償

方案用途: HBM 熱耦合評估需要比較邏輯晶片與記憶體配置，並建立實際封裝層構。
技術方式: 2.5D Cube-S 在矽中介層上水平整合邏輯晶片與 HBM，形成高密度晶片間連接。
適用範圍: 可作邏輯／HBM 封裝的架構候選與熱模型輸入；需取得實際配置、材料及冷卻條件。
限制與待確認事項: 以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界
平台介紹不等於特定配置的分層溫度或熱耦合已驗證。定量預測仍需實際材料、接合、功率與冷卻資料。
評估準備
BLNKK 建議整理晶片／HBM 配置與尺寸、層厚和熱參數、功率分布、接合介面、散熱邊界及參考溫度。
向供應商確認
確認可用中介層與 HBM 組態、模型所需層構資料、分析與實測支援，並討論適用的驗證條件。
公開依據: Samsung 說明 Cube-S 的矽中介層與 CoW 整合，並將其與其他中介層及垂直堆疊方案區分。

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